來源:大半導體產業網 據武漢經信官微消息,近日,全球首片8寸硅光薄膜鈮酸鋰光電集成晶圓在九峰山實驗室下線。此項成果使用8寸SOI硅光晶圓鍵合8寸鈮酸鋰晶圓,單片集成光電收發功能,為目前全球硅基化合物光電集成最先進技術。 據悉,該項成果可實現超低損耗、超高帶寬的高端光芯片規模制造,為目前全球綜合性能最優的光電集成芯片。此項成果由九峰山實驗室聯合重要產業合作伙伴開發,將盡快實現產業商用。 據了解,九峰山實驗室工藝中心基于8寸薄膜鈮酸鋰晶圓,開發與之匹配的深紫外(DUV) 光刻、微納干法刻蝕及薄膜金屬工藝,成功研發出首款8寸硅光薄膜鈮酸鋰晶圓,實現低損耗鈮酸鋰波導、高帶寬電光調制器芯片、高帶寬發射器芯片集成。此項成果為薄膜鈮酸鋰光電芯片的研制與超大規模光子集成提供了一條極具前景的產業化技術路線,為高性能光通信應用場景提供工藝解決方案。 |