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2023年,半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化進(jìn)展如何?

發(fā)布時(shí)間:2024-1-1 09:26    發(fā)布者:eechina
來(lái)源:芯智訊

2023年已經(jīng)結(jié)束!在這一年里,受整個(gè)消費(fèi)電子市場(chǎng)需求下滑的影響,全球半導(dǎo)體市場(chǎng)出現(xiàn)了同比12%的萎縮(IDC數(shù)據(jù)),眾多的半導(dǎo)體制造商紛紛大幅削減半導(dǎo)體設(shè)備的資本支出以控制過多的產(chǎn)能增長(zhǎng),導(dǎo)致2023年全球半導(dǎo)體設(shè)備同比下滑6.1%至1,009億美元(SEMI數(shù)據(jù)),這也是近4年來(lái)該市場(chǎng)首度陷入萎縮。

同時(shí),也是在2023年里,美國(guó)于2022年10月出臺(tái)的對(duì)華半導(dǎo)體新規(guī)效力開始顯現(xiàn),日本和荷蘭也跟進(jìn)美國(guó)半導(dǎo)體新規(guī),相繼出臺(tái)了針對(duì)先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備的出口管制政策,日本新規(guī)2023年7月23日生效,荷蘭新規(guī)2023年9月1日生效,但ASML的許可證到2023底依然有效。這也在一定程度上刺激了中國(guó)半導(dǎo)體制造商在有效期內(nèi)加速采購(gòu)所需的日本和荷蘭的半導(dǎo)體設(shè)備。同時(shí),也進(jìn)一步推動(dòng)了半導(dǎo)體設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程的加速。

SEMI的預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)也顯示,中國(guó)市場(chǎng)的半導(dǎo)體設(shè)備銷售額將在2023年時(shí)將超過300億美元、創(chuàng)下歷史新高紀(jì)錄,將進(jìn)一步擴(kuò)大和其他區(qū)域的差距。

那么在2023年里,中國(guó)國(guó)產(chǎn)的半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)展如何?國(guó)產(chǎn)化比例又提升到了多少?

根據(jù)國(guó)內(nèi)的半導(dǎo)體制造商的采購(gòu)中標(biāo)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)顯示,2023年1-11月,統(tǒng)計(jì)樣本中的晶圓產(chǎn)線合計(jì)中標(biāo)875臺(tái)設(shè)備,其中國(guó)產(chǎn)設(shè)備整體中標(biāo)比例約47%。

一、國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀

對(duì)于國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商而言,其驅(qū)動(dòng)力除了行業(yè)規(guī)模的自然擴(kuò)張,還包括在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的國(guó)產(chǎn)替代。根據(jù)中國(guó)電子專用設(shè)備工業(yè)協(xié)會(huì)的數(shù)據(jù),2021年,國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備銷售額為385.5億元,同比增長(zhǎng)58.71%,占中國(guó)大陸半導(dǎo)體設(shè)備銷售額的比例為20.02%。



以半導(dǎo)體晶圓制造設(shè)備為例,當(dāng)前的國(guó)產(chǎn)設(shè)備對(duì)成熟制程的工藝覆蓋度日趨完善,并積極推進(jìn)高端制程的工藝突破,產(chǎn)品正處于驗(yàn)證密集通過、開啟規(guī);鹆康某砷L(zhǎng)階段。并且,各大半導(dǎo)體設(shè)備廠商基于產(chǎn)品上線量產(chǎn)的契機(jī),也在與客戶密切開展工藝設(shè)備的合作研發(fā)、已有產(chǎn)品的迭代和細(xì)分新品類的擴(kuò)充,利于產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力和市場(chǎng)拓展的繼續(xù)深入。目前的半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率仍處于非線性增長(zhǎng)區(qū)間,未來(lái)國(guó)產(chǎn)設(shè)備有望加速滲透。

通過對(duì)全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局的分析可知,位居頭部的營(yíng)收在百億美金量級(jí)的半導(dǎo)體設(shè)備龍頭公司,其業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)基本覆蓋了半導(dǎo)體設(shè)備細(xì)分市場(chǎng)規(guī)模前三大的品類:刻蝕、光刻和沉積。鑒于此,對(duì)于本土半導(dǎo)體設(shè)備廠商而言,在光刻、刻蝕和沉積等“大賽道”深入布局的公司,具備更為廣闊的遠(yuǎn)期收入空間,未來(lái)的發(fā)展前景十分廣闊。



半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)細(xì)分品類眾多,目前,本土半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)仍處于成長(zhǎng)早期,在各個(gè)“細(xì)分賽道”率先卡位并建立競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的設(shè)備廠商,有望在下游客戶端搶占更優(yōu)勢(shì)的生態(tài)位。包括先發(fā)的研發(fā)驗(yàn)證機(jī)會(huì)、領(lǐng)先的供應(yīng)份額以及積累更豐富的量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn),從而在細(xì)分品類中建立起更高的競(jìng)爭(zhēng)壁壘。

在工藝技術(shù)方面,目前,國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商在刻蝕、沉積、清洗、涂膠顯影、CMP、離子注入以及測(cè)試機(jī)、分選機(jī)、探針臺(tái)等核心工藝環(huán)節(jié)已取得長(zhǎng)足進(jìn)步,并且與海外傳統(tǒng)廠商形成了初步的技術(shù)對(duì)標(biāo)。



具體到產(chǎn)品方面,以北方華創(chuàng)、中微公司、盛美上海為代表的國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備公司不斷完善產(chǎn)品的平臺(tái)化布局,可服務(wù)市場(chǎng)規(guī)?焖贁U(kuò)張,遠(yuǎn)期收入空間不斷打開。另一方面,以拓荊科技、華海清科、芯源微、中科飛測(cè)等為代表國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備公司在各自專長(zhǎng)的領(lǐng)域內(nèi)已占據(jù)了領(lǐng)先的供應(yīng)份額,不斷夯實(shí)技術(shù)和市場(chǎng)壁壘。

在后道領(lǐng)域,國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商在測(cè)試機(jī)、分選機(jī)、探針臺(tái)等設(shè)備方面的配套較前道更為完善,并且以長(zhǎng)川科技、華峰測(cè)控為代表的國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商在SoC測(cè)試機(jī)、探針臺(tái)等高端新品研發(fā)和市場(chǎng)拓展也快速推進(jìn),整體已在后道設(shè)備市場(chǎng)具備一定的市場(chǎng)份額優(yōu)勢(shì)。



北方華創(chuàng)

以國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備龍頭大廠北方華創(chuàng)為例,其產(chǎn)品管線布局完整,涵蓋ICP刻蝕、PVD、熱處理、ALD、外延(EPI)、LPCVD、清洗、UV cure、PECVD、CCP刻蝕等工藝等諸多環(huán)節(jié)。

2023年以來(lái),北方華創(chuàng)相繼推出12英寸晶邊刻蝕機(jī)、12英寸去膠機(jī)等新產(chǎn)品,同時(shí)各類標(biāo)桿產(chǎn)品相繼達(dá)到銷量里程碑(12英寸深硅刻蝕機(jī)累計(jì)銷量達(dá)到100腔,12英寸立式爐累計(jì)出廠500臺(tái))。

截至三季度末,在刻蝕裝備方面,公司面向12英寸邏輯、存儲(chǔ)、功率、先進(jìn)封裝等客戶,ICP刻蝕產(chǎn)品出貨累計(jì)超過2000腔;應(yīng)用于提升芯片良率的12英寸CCP晶邊刻蝕機(jī)已進(jìn)入多家生產(chǎn)線驗(yàn)證。

薄膜裝備方面,突破了物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積和原子層沉積等多項(xiàng)核心關(guān)鍵技術(shù),廣泛應(yīng)用于集成電路、功率器件、先進(jìn)封裝等領(lǐng)域,累計(jì)出貨超3000腔,支撐了國(guó)內(nèi)主流客戶的量產(chǎn)應(yīng)用。

立式爐裝備方面,累計(jì)出貨超過500臺(tái),憑借優(yōu)異的量產(chǎn)穩(wěn)定性獲邏輯、存儲(chǔ)、功率、封裝、襯底材料等領(lǐng)域主流客戶的認(rèn)可。

外延裝備方面,累計(jì)出貨近千腔,覆蓋集成電路、功率器件、硅材料、第三代半導(dǎo)體等領(lǐng)域應(yīng)用需求。

清洗裝備方面,擁有單片清洗、槽式清洗兩大技術(shù)平臺(tái),主要應(yīng)用于12英寸集成電路領(lǐng)域。并在多家客戶端實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),屢獲重復(fù)訂單。

中微公司

中微公司目前產(chǎn)品也覆蓋了MOCVD、LPCVD、ALD、EPI、ICP、CCP、ALE等諸多環(huán)節(jié)。

在刻蝕方面:邏輯領(lǐng)域,公司12寸高端刻蝕設(shè)備已在從65納米到5納米的各個(gè)技術(shù)結(jié)點(diǎn)大量量產(chǎn),并著力改進(jìn)性能以滿足5納米技術(shù)以下的若干關(guān)鍵步驟加工的要求;存儲(chǔ)領(lǐng)域,公司致力于提供超高深寬比掩膜(≥40:1)和超高深寬比介質(zhì)刻蝕(≥60:1)的全套解決方案,目前這兩種設(shè)備都已經(jīng)開展現(xiàn)場(chǎng)驗(yàn)證、進(jìn)展順利。

在薄膜沉積方面:公司短時(shí)間實(shí)現(xiàn)多種LPCVD設(shè)備的研發(fā)交付以及ALD設(shè)備的重大突破,其中CVD鎢設(shè)備能滿足先進(jìn)邏輯器件接觸孔填充、DRAM器件接觸孔應(yīng)用、3DNAND器件中的多個(gè)關(guān)鍵應(yīng)用需求;ALD鎢設(shè)備,能夠滿足3DNAND等三維器件結(jié)構(gòu)中金屬鎢的填充需求,公司還在開發(fā)另一ALD產(chǎn)品系列,能夠滿足先進(jìn)邏輯和存儲(chǔ)器件中金屬阻擋層和金屬柵極的應(yīng)用需求。

在MOCVD方面:Prismo A7設(shè)備已在全球氮化鎵基LEDMOCVD市場(chǎng)居領(lǐng)先地位;用于Mini-LED生產(chǎn)的Prismo UniMax,已在領(lǐng)先客戶端大規(guī)模量產(chǎn);用于硅基氮化鎵功率器件Prismo PD5已獲得重復(fù)訂單,用于碳化硅功率器件外延生產(chǎn)的設(shè)備正在開發(fā)中,即將開展樣機(jī)在客戶端的測(cè)試。

根據(jù)中微公司三季報(bào)顯示,其刻蝕設(shè)備在客戶端不斷核準(zhǔn)更多刻蝕應(yīng)用,市場(chǎng)占有率不斷提高并不斷收到領(lǐng)先客戶的批量訂單。公司在關(guān)鍵先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)的技術(shù)進(jìn)展不斷推進(jìn),極高深寬比刻蝕設(shè)備、大馬士革刻蝕設(shè)備、EPI設(shè)備研發(fā)順利推進(jìn),四季度存儲(chǔ)芯片價(jià)格回暖,國(guó)存儲(chǔ)大廠擴(kuò)產(chǎn)潛力有望為公司帶來(lái)訂單彈性。

盛美上海

盛美上海經(jīng)過多年持續(xù)的研發(fā)投入和技術(shù)積累,先后開發(fā)了前道半導(dǎo)體工藝設(shè)備,包括清洗設(shè)備(包括單片、槽式、單片槽式組合、CO2超臨界清洗、邊緣和背面刷洗)、半導(dǎo)體電鍍?cè)O(shè)備、立式爐管系列設(shè)備(包括氧化、擴(kuò)散、真空回火、LPCVD、ALD)、涂膠顯影Track設(shè)備、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD設(shè)備、無(wú)應(yīng)力拋光設(shè)備;后道先進(jìn)封裝工藝設(shè)備以及硅材料襯底制造工藝設(shè)備等。

根據(jù)公告,公司熱反應(yīng)的ALD爐管首臺(tái)2022年已經(jīng)進(jìn)入客戶端,2022年底ArFTrack設(shè)備已經(jīng)送往客戶端驗(yàn)證。2023年2月公司首次獲得了歐洲半導(dǎo)體制造商的12腔單片SAPS兆聲波清洗設(shè)備訂單,3月公司首次獲得碳化硅襯底清洗設(shè)備訂單。目前盛美上海研發(fā)的SAPS、TEBO兆聲波清洗技術(shù)和Tahoe單片槽式組合清洗技術(shù),可應(yīng)用于45nm及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)的晶圓清洗領(lǐng)城。公司PECVD設(shè)備研發(fā)進(jìn)展順利。未來(lái)ALD、Track及PECVD有望迎來(lái)良好的產(chǎn)品周期并貢獻(xiàn)公司收入增長(zhǎng)。

除了已有的長(zhǎng)江存儲(chǔ)、華虹集團(tuán)、海力士、中芯國(guó)際、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、長(zhǎng)電科技、通富微電、中芯長(zhǎng)電、Nepes、金瑞泓、臺(tái)灣合晶科技、中科院微電子所、上海集成電路研發(fā)中心、華進(jìn)半導(dǎo)體、士蘭微、芯恩半導(dǎo)體、晶合、中科智芯、芯德等主要客戶的重復(fù)訂單之外,今年新增加了中國(guó)領(lǐng)先的碳化硅襯底制造商等客戶。同時(shí)公司在歐洲全球性半導(dǎo)體制造商和多個(gè)國(guó)內(nèi)客戶取得訂單和客戶群體的突破。

拓荊科技

拓荊科技目前擁有PECVD、SACVD、ALD、HDPCVD、鍵合設(shè)備等較為豐富的產(chǎn)品系列,部分產(chǎn)品已適配國(guó)內(nèi)28/14nm邏輯芯片、19/17nm DRAM芯片和64/128層3DNANDFLASH晶圓制造產(chǎn)線,并成功實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用或驗(yàn)證。

PECVD是拓荊科技核心產(chǎn)品,公司自成立以來(lái)就開始研制PECVD設(shè)備,經(jīng)過十余年的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn),目前PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD等系列薄膜設(shè)備均已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),其中,PECVD設(shè)備訂單量占比相對(duì)較高,ALD、SACVD、HDPCVD等新產(chǎn)品正在逐步擴(kuò)大量產(chǎn)規(guī)模。目前,拓荊科技量產(chǎn)產(chǎn)品對(duì)于薄膜沉積產(chǎn)品的覆蓋度逐步從原有的33%增長(zhǎng)至整個(gè)市場(chǎng)的50%左右。

以此為基礎(chǔ),拓荊科技還將薄膜沉積設(shè)備逐漸拓展到SACVD、ALD、HDPCVD等設(shè)備領(lǐng)域,進(jìn)一步豐富了薄膜沉積設(shè)備組合,目前三種設(shè)備中的部分產(chǎn)品型號(hào)已量產(chǎn),并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。

此外,拓荊科技還有布局芯片三維集成領(lǐng)域,聚焦混合鍵合設(shè)備,其晶圓對(duì)晶圓鍵合產(chǎn)品也已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。

華海清科

作為國(guó)內(nèi)的半導(dǎo)體設(shè)備大廠華海清科產(chǎn)品覆蓋了CMP、減薄、清洗、量測(cè)等多個(gè)環(huán)節(jié)。

在CMP設(shè)備方面:公司在邏輯芯片、DRAM存儲(chǔ)芯片、3DNAND存儲(chǔ)芯片等領(lǐng)域的成熟制程均完成了90%以上CMP工藝類型和工藝數(shù)量的覆蓋度,部分關(guān)鍵CMP工藝類型成為工藝基準(zhǔn)(Baseline)機(jī)臺(tái)。2023上半年公司推出Universal H300機(jī)臺(tái),產(chǎn)品為四個(gè)12英寸拋光單元雙拋光頭配置,面向集成電路、先進(jìn)封裝、大硅片等領(lǐng)域客戶,已完成研發(fā)和基本性能驗(yàn)證。Universal-150Smart產(chǎn)品兼容6-8英寸各種半導(dǎo)體材料拋光,已發(fā)往兩家第三代半導(dǎo)體客戶驗(yàn)證。

在減薄設(shè)備方面:公司推出Versatile-GP300量產(chǎn)機(jī)臺(tái),12英寸晶圓片內(nèi)磨削TTV<1um達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平,實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)設(shè)備在超精密減薄技術(shù)領(lǐng)域0-1突破。

在清洗設(shè)備方面:2023年上半年,應(yīng)用于12英寸硅襯底CMP工藝后清洗設(shè)備和應(yīng)用于4/6/8英寸化合物半導(dǎo)體清洗設(shè)備已推向相關(guān)細(xì)分市場(chǎng)。據(jù)公司2023年9月26日公告,公司首臺(tái)12英寸單片終端清洗機(jī)HSC-F3400機(jī)臺(tái)出機(jī)發(fā)往國(guó)內(nèi)大硅片龍頭企業(yè)。

膜厚測(cè)量設(shè)備:FTM-M300產(chǎn)品可應(yīng)用于Cu、Al、W、Co等金屬制程薄膜厚度測(cè)量,目前已發(fā)往多家客戶驗(yàn)證,并實(shí)現(xiàn)小批量出貨。

離子注入設(shè)備:公司參股的芯崳半導(dǎo)體(上海)有限公司所開發(fā)的離子注入機(jī)產(chǎn)品研發(fā)順利,目前處于產(chǎn)品驗(yàn)證階段。

芯源微

作為國(guó)內(nèi)唯一可以提供量產(chǎn)型前道涂膠顯影設(shè)備的廠商,芯源微目前已完成在前道晶圓加工環(huán)節(jié)28nm及以上工藝節(jié)點(diǎn)的全覆蓋,并持續(xù)向更高工藝等級(jí)迭代。同時(shí)還有布局前道清洗設(shè)備和后道封測(cè)設(shè)備。

在涂膠顯影設(shè)備方面:公司第三代浸沒式高產(chǎn)能涂膠顯影設(shè)備平臺(tái)架構(gòu)FT300(Ⅲ)發(fā)布后在客戶端導(dǎo)入進(jìn)展良好,同時(shí)未來(lái)可作為通用性架構(gòu)全面向下兼容ArF、KrF、I-line、offline等工藝。

在前道清洗設(shè)備方面:2023年上半年,公司前道物理清洗機(jī)已成為國(guó)內(nèi)邏輯、功率器件廠商所采用的主流產(chǎn)品。公司新一代高產(chǎn)能物理清洗機(jī)也將進(jìn)入客戶端驗(yàn)證,可滿足存儲(chǔ)客戶對(duì)產(chǎn)能的高指標(biāo)要求。

在后道封裝設(shè)備方面:公司與國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的chiplet廠商、SiC廠商保持了深度合作關(guān)系。此外,臨時(shí)鍵合機(jī)、解鍵合機(jī)均已進(jìn)入客戶驗(yàn)證階段,有望受益于chiplet的發(fā)展帶來(lái)增量需求。

公司目前擁有沈陽(yáng)兩個(gè)廠區(qū)、上海臨港廠區(qū),其中沈陽(yáng)老廠區(qū)生產(chǎn)后道、小尺寸領(lǐng)域設(shè)備;新廠區(qū)生產(chǎn)前道Track、物理清洗機(jī)。上海臨港廠區(qū)生產(chǎn)基地已于2023年1月順利封頂。項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后生產(chǎn)前道ArF涂膠顯影機(jī)、浸沒式涂膠顯影機(jī)、單片化學(xué)清洗機(jī)等設(shè)備。

中科飛測(cè)

作為國(guó)內(nèi)高端半導(dǎo)體檢測(cè)和量測(cè)設(shè)備龍頭,中科飛測(cè)自2014年成立以來(lái)一直專注于半導(dǎo)體檢測(cè)和量測(cè)設(shè)備領(lǐng)域,目前已成功推出了無(wú)圖形晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備、圖形晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備、三維形貌量測(cè)設(shè)備、薄膜膜厚量測(cè)設(shè)備等產(chǎn)品,可被廣泛應(yīng)用于28nm及以上制程集成電路制造和先進(jìn)封裝環(huán)節(jié)。

目前,中科飛測(cè)平臺(tái)化布局產(chǎn)品線持續(xù)豐富,更先進(jìn)制程研發(fā)驗(yàn)證進(jìn)展順利:

無(wú)圖形基于缺陷檢測(cè)設(shè)備:量產(chǎn)型號(hào)已覆蓋2Xnm及以上工藝節(jié)點(diǎn),1Xnm設(shè)備研發(fā)進(jìn)展順利;

圖形缺陷檢測(cè)設(shè)備:廣泛應(yīng)用于邏輯、存儲(chǔ)、先進(jìn)封裝等領(lǐng)域,具備三維檢測(cè)功能的設(shè)備已在客戶進(jìn)行工藝驗(yàn)證,2Xnm明場(chǎng)納米圖形晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備、暗場(chǎng)納米圖形晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備研發(fā)進(jìn)展順利;

三維形貌量測(cè)設(shè)備:支持2Xnm及以上制程,訂單穩(wěn)步增長(zhǎng);

薄膜膜厚量測(cè)設(shè)備:已覆蓋國(guó)內(nèi)先進(jìn)工藝和成熟工藝的主要集成電路客戶,金屬薄膜膜厚量測(cè)設(shè)備為新增長(zhǎng)點(diǎn),市場(chǎng)認(rèn)可度進(jìn)一步提升;

套刻精度量測(cè)設(shè)備:90nm及以上工藝節(jié)點(diǎn)的設(shè)備已實(shí)現(xiàn)批量銷售,2Xnm設(shè)備已通過國(guó)內(nèi)頭部客戶產(chǎn)線驗(yàn)證,獲得國(guó)內(nèi)領(lǐng)先客戶訂單。

關(guān)鍵尺寸量測(cè)設(shè)備:2Xnm產(chǎn)品研發(fā)進(jìn)展順利。

經(jīng)過多年的技術(shù)積累,中科飛測(cè)無(wú)圖形晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備等產(chǎn)品性能可比肩海外龍頭,產(chǎn)品已在中芯國(guó)際、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)電科技和華天科技等國(guó)內(nèi)知名客戶的產(chǎn)線上實(shí)現(xiàn)無(wú)差別應(yīng)用。

長(zhǎng)川科技

長(zhǎng)川科技作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的后道設(shè)備廠商,其產(chǎn)品覆蓋了測(cè)試機(jī)、探針臺(tái)、分選機(jī)、AOI光學(xué)檢測(cè)設(shè)備等。

目前公司數(shù);旌蠝y(cè)試機(jī)技術(shù)成熟,數(shù)字SoC測(cè)試機(jī)D9000等正在快速放量,并且下游客戶不斷拓展,公司未來(lái)在存儲(chǔ)測(cè)試機(jī)領(lǐng)域有望進(jìn)一步放量;

在分選機(jī)領(lǐng)域,公司形成轉(zhuǎn)塔式、平移式、重力式分選機(jī)全面布局,平移式三溫分選機(jī)為主要增長(zhǎng)動(dòng)力,能夠覆蓋-55~150℃溫度范圍,工位數(shù)量最高16個(gè),每小時(shí)最大產(chǎn)能高達(dá)1200片,可車規(guī)級(jí)等IC測(cè)試需求;

在探針臺(tái)領(lǐng)域,公司產(chǎn)品支持幾乎所有8/12英寸CP測(cè)試需求,目前也開始逐步起量;

在前道測(cè)試設(shè)備領(lǐng)域,公司通過收購(gòu)STI提升自身AOI光學(xué)檢測(cè)實(shí)力,形成前道檢測(cè)設(shè)備iFocus系列等,并且針對(duì)半導(dǎo)體關(guān)鍵制程尺寸量測(cè)需求開發(fā)了全自動(dòng)關(guān)鍵尺寸量測(cè)設(shè)備NanoX-6000。

經(jīng)過多年研發(fā)和積累,公司已成為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的集成電路專用測(cè)試設(shè)備供應(yīng)商,產(chǎn)品獲得了長(zhǎng)電科技、華天科技、通富微電、士蘭微、華潤(rùn)微電子、日月光等知名集成電路企業(yè)使用和認(rèn)可。

華峰測(cè)控

作為為國(guó)內(nèi)模擬芯片測(cè)試龍頭,華峰測(cè)控近年來(lái)也在集積極拓展延申功率芯片及SoC測(cè)試業(yè)務(wù)。

公司主力機(jī)型STS8200系列主要應(yīng)用于模擬集成電路測(cè)試,STS8300機(jī)型主要應(yīng)用于混合信號(hào)和數(shù)字測(cè)試領(lǐng)域,同時(shí)也拓展了分立器件、功率和第三代化合物半導(dǎo)體器件測(cè)試。

目前,STS8300全球裝機(jī)量已達(dá)到一定數(shù)量,開始建立生態(tài)圈,板卡已迭代第二代,產(chǎn)品將提供更高性能,更具性價(jià)比,8300上的數(shù)字板卡已具備400M測(cè)試能力,具備進(jìn)入數(shù)字測(cè)試領(lǐng)域能力。IGBT、SiC、GaN等各方向均實(shí)現(xiàn)覆蓋。

今年6月,公司在上海舉辦的SEMICONChina 2023展會(huì)上推出了面向SoC測(cè)試領(lǐng)域的全新一代機(jī)型-STS8600,該機(jī)型擁有更多的測(cè)試通道數(shù)以及更高的測(cè)試頻率,并且配置水冷散熱系統(tǒng),進(jìn)一步完善了公司的產(chǎn)品線,拓寬了公司產(chǎn)品的可測(cè)試范圍。目前正在針對(duì)該機(jī)型進(jìn)行性能驗(yàn)證和單板開發(fā)。

二、國(guó)產(chǎn)設(shè)備中標(biāo)比例不斷突破

我們以本土晶圓產(chǎn)線:中芯國(guó)際、華虹半導(dǎo)體、上海華力、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫、積塔半導(dǎo)體、燕東微電子、福建晉華、粵芯半導(dǎo)體、武漢新芯、合肥晶合作為統(tǒng)計(jì)樣本,對(duì)其招標(biāo)、中標(biāo)數(shù)據(jù)進(jìn)行分析。

按照?qǐng)D示的統(tǒng)計(jì)口徑,根據(jù)采招網(wǎng)的數(shù)據(jù),2023年11月,統(tǒng)計(jì)樣本中的晶圓產(chǎn)線合計(jì)產(chǎn)生135項(xiàng)招標(biāo)。以華虹半導(dǎo)體、積塔半導(dǎo)體、燕東微電子等產(chǎn)線招標(biāo)為主。

2023年1-11月,統(tǒng)計(jì)樣本中的晶圓產(chǎn)線合計(jì)招標(biāo)1607項(xiàng),其中,華虹半導(dǎo)體、積塔半導(dǎo)體、中芯國(guó)際的招標(biāo)量位居前三。整體而言,設(shè)備招標(biāo)以量測(cè)、擴(kuò)散、刻蝕設(shè)備為主。



從中標(biāo)情況來(lái)看,根據(jù)采招網(wǎng)的數(shù)據(jù),2023年11月,統(tǒng)計(jì)樣本中的晶圓產(chǎn)線上合計(jì)中標(biāo)362臺(tái)設(shè)備,以刻蝕、清洗、氣液系統(tǒng)設(shè)備居多;國(guó)產(chǎn)設(shè)備整體中標(biāo)比例約42%,其中,爐管、PVD、CVD、硅片再生設(shè)備的國(guó)產(chǎn)中標(biāo)比例顯著。

具體來(lái)說,2023年11月,統(tǒng)計(jì)樣本中的國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商合計(jì)中標(biāo)101臺(tái)設(shè)備,以北方華創(chuàng)、盛美上海、中微公司中標(biāo)為主,在對(duì)應(yīng)工藝環(huán)節(jié)的中標(biāo)比例為32%。其中,北方華創(chuàng)中標(biāo)16臺(tái)刻蝕設(shè)備、6臺(tái)爐管設(shè)備、5臺(tái)PVD設(shè)備、5臺(tái)濕法腐蝕設(shè)備、3臺(tái)清洗設(shè)備,在對(duì)應(yīng)工藝環(huán)節(jié)的中標(biāo)比例分別為22%/100%/100%/24%/5%。盛美上海中標(biāo)15臺(tái)清洗設(shè)備、4臺(tái)硅片再生設(shè)備、1臺(tái)電鍍?cè)O(shè)備、1臺(tái)濕法腐蝕設(shè)備,在對(duì)應(yīng)工藝環(huán)節(jié)的中標(biāo)比例分別為23%/100%33%/5%。中微公司中標(biāo)16臺(tái)刻蝕設(shè)備,在對(duì)應(yīng)工藝環(huán)節(jié)的中標(biāo)比例為22%。

2023年1-11月,統(tǒng)計(jì)樣本中的晶圓產(chǎn)線合計(jì)中標(biāo)875臺(tái)設(shè)備,以刻蝕、測(cè)試機(jī)、氣液系統(tǒng)設(shè)備居多;國(guó)產(chǎn)設(shè)備整體中標(biāo)比例約47%,其中,PECVD、外延、氧化、硅片再生設(shè)備的國(guó)產(chǎn)中標(biāo)比例較高。



具體來(lái)說,2023年1-11月,統(tǒng)計(jì)樣本中的國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商合計(jì)中標(biāo)309臺(tái)設(shè)備,北方華創(chuàng)、中微公司、萬(wàn)業(yè)企業(yè)中標(biāo)量領(lǐng)先。其中,北方華創(chuàng)中標(biāo)主要包括刻蝕、擴(kuò)散、爐管設(shè)備,分別為34/10/7臺(tái);中微公司中標(biāo)主要為刻蝕設(shè)備,合計(jì)42臺(tái)。萬(wàn)業(yè)企業(yè)中標(biāo)主要包括氣液系統(tǒng)、沉積、CVD設(shè)備,分別為23/5/2臺(tái)。

2023年1-11月,統(tǒng)計(jì)樣本中的相關(guān)國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商合計(jì)中標(biāo)量在對(duì)應(yīng)工藝環(huán)節(jié)的中標(biāo)比例平均約為39%。其中,北方華創(chuàng)的外延/氧化設(shè)備、拓荊科技的PECVD設(shè)備和盛美上海的硅片再生設(shè)備在對(duì)應(yīng)工藝環(huán)節(jié)的中標(biāo)比例領(lǐng)先,均為100%。



進(jìn)入2024年,隨著全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的持續(xù)回暖,全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)也將迎來(lái)全面的增長(zhǎng),其中中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模仍將位居全球第一。

根據(jù)SEMI預(yù)計(jì)2024年半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)銷售額為1,053億美元,同比增長(zhǎng)增4%。2025年預(yù)計(jì)將大幅增長(zhǎng)18%至1,240億美元,將超越2022年的1,074億美元,創(chuàng)下歷史新高紀(jì)錄。SEMI也指出,截至2025年為止,中國(guó)大陸的半導(dǎo)體設(shè)備采購(gòu)額有望持續(xù)增長(zhǎng)、維持首位。

在國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)增長(zhǎng),美日荷先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備對(duì)華持續(xù)限制的背景之下,國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備的滲透率和市場(chǎng)份額將有望持續(xù)提升。
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