|
來源：IT之家 ASML 首席執(zhí)行官 Peter Wennink 近日在接受路透社采訪時表示，盡管供應(yīng)商出現(xiàn)了一些阻礙，但公司仍會按照此前設(shè)定的計劃，在今年年底之前交付 High NA EUV 機器。 
ASML 表示一臺高數(shù)值孔徑 EUV 光刻（High-NA EUV）設(shè)備的體積和卡車相當，每臺設(shè)備的售價超過 3 億美元（IT之家備注：當前約 21.9 億元人民幣），可以滿足一線芯片制造商的需求，可以在未來十年內(nèi)制造更小、更好的芯片。 Wennink 表示部分供應(yīng)商無法提高組件的數(shù)量和質(zhì)量，因此導致了輕微的延誤，但整體而言這些困難都可以控制，承諾會在今年年底之前交付首臺機器。 IT之家此前報道，對于后 3nm 時代，ASML 及其合作伙伴正在開發(fā)一種全新的 EUV 光刻機 ——Twinscan EXE:5000 系列，該系列機器將具有 0.55 NA（高 NA）的透鏡，分辨率達 8nm，從而在 3 nm 及以上節(jié)點中盡可能地避免雙重或是多重曝光。 |
