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絕緣柵雙極晶體管（IGBT） 是總線電壓幾百至上千伏的應用的理想之選。作為少數載流子器件，IGBT在該電壓范圍內具備優于MOSFET的導通特性，同時擁有與MOSFET十分相似的柵極結構，能實現輕松控制。此外，由于無需采用集成式反向二極管，這使制造商能夠靈活地選擇針對應用優化的快速“復合封裝（co-pak）”二極管 （IGBT和二極管采用同一個封裝），這與固有MOSFET二極管相反，固有MOSFET二極管的反向恢復電荷Qrr和反向恢復時間trr會隨著額定電壓的升高而增大。 當然，導通效率的提高需要付出代價：IGBT通常具備相對較高的開關損耗，這可降低應用開關頻率。這二者之間的權衡以及其他應用和生產注意事項為數代IGBT以及不同的子類器件的誕生創造了條件。眾多的產品使得在選型時采用嚴格的流程變得十分重要，因為這可對電氣性能和成本產生重大影響。 從用戶角度而言，IGBT選型過程可實現簡化，如圖1所示。由于該過程具備重復屬性，因此十分適合實現自動化操作。國際整流器公司現已開發出一個實用的在線選型工具，如圖2所示。這個工具包含IR公司200多種IGBT器件的電氣模型和熱模型。 
電壓選擇 以往用于110V至220V整流總線應用的IGBT的額定電壓為600V，而用于三相380V 至440V整流總線應用的IGBT的額定電壓為1200V。IR還推出數量有限的900V IGBT。近幾年來，IR為擴大客戶的選型范圍，又推出了330V器件（通常不用于直接連接市電的應用）。 與MOSFET不同，IGBT無雪崩額定值，因此確保在最差條件下IGBT的電壓低于擊穿電壓額定值十分重要。在這種最差條件下，通常需要考慮以下幾點： * 采用最大線路輸入電壓的最大總線電壓和最大總線過壓（例如電機驅動應用的電氣制動） * IGBT采用最大開關速度（di/dt）、最大雜散電感和最小總線電容關斷時的最大過沖電壓 * 最低的工作溫度（由于擊穿電壓具備負溫度系數） 短路安全工作區額定值 這種特性指器件能夠在一定時間內（單位：微秒）承受通過終端輸入的最大總線電壓，并能夠安全關斷。在這種條件下，IGBT將會達到其飽和電流（取決于第幾代器件和器件的電流額定值），并有效控制系統的電流，同時耗散大量功率。 盡管所有IGBT都具備內在的短路安全工作區（SOA）功能，但IGBT主要歸類為短路電流額定器件，而不是非短路電流額定器件。短路電流額定器件旨在限制飽和電流，從而限制功耗：這可導致與VCE（ON）實現平衡，如表1所示。
封裝可分為通孔封裝和表面貼裝兩種形式，如圖6所示。通孔封裝具備更廣泛的選擇，適用于高電流額定值，并可實現高效冷卻，如RthCS額定值所示。這些額定值是基于采用隔離技術的典型裝配方法。表面貼裝器件可簡化裝配，但僅適用于低電流額定值，并且散熱性能要差很多，即使是采用熱過孔。重要的是，要注意，不能采用SMD方法裝配通孔器件，因為這些器件無法承受該工藝帶來的高應力。圖6顯示的 SMD RthCS額定值是基于典型的電路板裝配條件（具備熱過孔）。
電氣和熱性能分析 為達到特定的應用設計目標，工程師需要對不同器件進行比較。通常比較的內容包括：能效、最大額定電流、最高溫度等參數。盡管提供Spice模型，但在預測開關損耗時，很難對參數進行關聯。鑒于這個原因，常見的方法是建立器件行為模型，利用簡單的公式計算在特定應用中的總導通和開關損耗。 對于電機驅動器而言，這種方法可用于計算作為開關頻率（具備固定的？TJS）函數的最大允許電流，如圖7所示：該圖顯示具備類似晶粒尺寸的不同代IGBT的導通損耗、開關損耗和散熱性能之間的平衡。
如圖8所示，功率因數校正應用可采用類似的方法。
成本分析 最后階段的成本分析是IGBT選型過程不可或缺的一部分，因為它可提供更高的自由度。這可通過圖9內IR IGBT選型工具顯示的內容輕松看出。該圖顯示了滿足輸入參數的多個不同器件。它們分別代表了選型流程的不同成本/性能平衡點。
尤其是，它提供了不同代的所有類別產品（如圖10所示），使客戶能夠選擇不同的成本/性能平衡點。平面技術可用于高成本效益的解決方案，而最新的溝槽IGBT則具備最優的性能。
作者：Andrea Gorgerino 節能產品部IGBT應用經理 國際整流器公司 |
