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LMP92066PWPR 是一款高度集成的溫控型雙 DAC。兩個 DAC 均可通過存儲在內部 EEPROM 中的兩個獨立的、用戶定義的溫度-電壓轉換函數進行編程，從而無需額外的外部電路即可校正任何溫度影響。 LMP92066PWPR DAC原理圖 
特點 Intermal 12 位溫度傳感器 精度（- 40°C 至 120°C），+3.2°C EEPROM 中存儲兩個獨立的傳輸函數 雙模擬輸出 兩個 12 位 DAC 輸出范圍 0 V 至 5 V 或 0 V 至 5 V 耐高電容負載，高達 10 μF 校準后精度 +2.4 mV（典型值） 輸出開/關控制開關時間 50 ns 開關時間 50 ns（典型值） RDSON 5 Q（最大值） IC 接口： 標準和快速 九個可選從機地址 超時功能 VDD 電源范圍 4.75 V 至 5.25 V 指定溫度范圍 - 25°C 至 120°C 工作溫度范圍 - 40°C 至 125°C 應用 GaN 或 LDMOS PA 偏壓控制器 傳感器溫度補償 定時電路溫度補償 明佳達LMP92066PWPR DAC、DRV10983ZPWPR BLDC電機驅動器，IKA15N60T/STGB19NC60KDT4絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。 DRV10983ZPWPR器件是一款具有集成功率 MOSFET 的三相無傳感器電機驅動器，可提供高達 2A 的持續驅動電流。該器件專為成本敏感型、低噪聲、低外部組件數量 應用而設計低功耗是一個關鍵問題。該器件采用專有無傳感器控制方案來提供持續正弦驅動，可大幅降低換向過程中通常會產生的純音。該器件的接口設計簡單而靈活。可直接通過 PWM、模擬、或 I2C 輸入控制電機。可通過 FG 引腳或 I2C 提供電機速度反饋。 DRV10983ZPWPR器件安全功能包括 一個集成降壓穩壓器，可高效地將電源電壓降至 5V 或 3.3V，從而為內外部電路供電。該器件提供睡眠模式和待機模式兩種型號，可在電機停止運轉時實現節能。待機模式 (3mA) 型號會使穩壓器保持運行，而休眠模式 (180μA) 型號會使穩壓器停止工作。在使用穩壓器 為外部 微控制器供電的應用中使用待機模式型號。 特性 輸入電壓范圍：8 至 28V 總驅動器 H + L rDS(on)：250mΩ 驅動電流：2A 持續繞組電流（峰值 3A） 無傳感器專有反電動勢 (BEMF) 控制方案 連續正弦 180° 換向 無需外部感測電阻 用戶可通過添加外部感應電阻以靈活監視為電機提供的功率 靈活的用戶接口選項： I2C 接口：訪問命令和反饋寄存器 專用的 SPEED 引腳：接受模擬或 PWM 輸入 專用的 FG 引腳：提供 TACH 反饋 可通過 EEPROM 定制旋轉曲線 使用 DIR 引腳進行正向/反向控制 集成了降壓穩壓器，可高效地為內部和外部電路提供電壓 (5V 或 3.3V) 電源電流為 3mA 待機型號 (DRV10983) 電源電流為 180 μA 睡眠型號 (DRV10983Z) 過流保護 鎖定檢測 電壓浪涌保護 欠壓閉鎖 (UVLO) 保護 熱關斷保護 耐熱增強型 24 引腳散熱薄型小外形尺寸 (HTSSOP) 應用 • 設備風扇 • 制熱、通風與空調控制 (HVAC) DRV10983ZPWPR BLDC 電機驅動器原理圖
IKA15N60T是一款高性能絕緣柵雙極晶體管（IGBT），屬于 TRENCHSTOP™ 系列。該芯片集成了一個 600V、15A 的 IGBT 和一個反向并聯的快速恢復發射極控制二極管，采用 TO-220 Full-Pak 封裝。 參數 集電極-發射極電壓：600V 直流集電極電流：15A（TC = 25°C），10.6A（TC = 100°C） 脈沖集電極電流：45A 二極管正向電流：17.2A（TC = 25°C），10.8A（TC = 100°C） 二極管脈沖電流：45A 柵極-發射極電壓：±20V 短路耐受時間：5μs（VGE = 15V, VCC ≤ 400V, Tj ≤ 150°C） 最大功耗：35.7W（TC = 25°C） 工作結溫：-40°C 至 +175°C 存儲溫度：-55°C 至 +150°C 隔離電壓：2500Vrms 特點 非常低的 VCEsat：1.5V（典型值） 低開關損耗 易于并聯開關：由于 VCEsat 的正溫度系數 非常軟、快速恢復的反向并聯發射極控制二極管 高魯棒性，溫度穩定的行為 低電磁干擾（EMI） 低柵極電荷 參數分布非常緊密 應用 空調 逆變器 STGB19NC60KDT4是一款高性能絕緣柵雙極晶體管（IGBT），屬于 600V IGBT with Trench Technology 系列。該芯片集成了一個 600V、20A 的 IGBT 和一個反向并聯的快速恢復二極管，采用 D2PAK 封裝。這些器件是采用先進的 PowerMESH™ 技術開發的超高速 IGBT。這種工藝保證了開關性能和低導通行為之間的出色權衡。 功能 低導通壓降 (VCE(sat)) CRES / CIES 比率低（無交叉傳導電感） 短路耐壓時間 10 μs 與超高速續流二極管共同封裝的 IGBT 規格 產品種類: 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 技術: Si 封裝 / 箱體: D2PAK-3 安裝風格: SMD/SMT 配置: Single 集電極—發射極最大電壓 VCEO: 600 V 集電極—射極飽和電壓: 2 V 柵極/發射極最大電壓: - 20 V, 20 V 在25 C的連續集電極電流: 35 A Pd-功率耗散: 125 W 最小工作溫度: - 55 C 最大工作溫度: + 150 C 集電極最大連續電流 Ic: 35 A 高度: 4.6 mm 長度: 10.4 mm 應用 高頻逆變器 電機驅動器 |
