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在相同的外形尺寸和熱閾值下，QDual3模塊能提供高出10%的功率 安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON) 最新發布第 7 代 1200V QDual3 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 功率模塊，與其他同類產品相比，該模塊的功率密度更高，且提供高10%的輸出功率。該800 安培 (A) QDual3 模塊基于新的場截止第 7 代 (FS7) IGBT 技術，帶來業界領先的能效表現，有助于降低系統成本并簡化設計。應用于 150 千瓦的逆變器中時，QDual3 模塊的損耗比同類最接近的競品少 200 瓦（W），從而大大縮減散熱器的尺寸。QDual3模塊專為在惡劣條件下工作而設計，非常適合用于大功率變流器，例如太陽能發電站中央逆變器、儲能系統 (ESS)、商用農業車輛（CAV）和工業電機驅動器。目前，根據不同的應用需求有兩種產品可供選擇——NXH800H120L7QDSG 和 SNXH800H120L7QDSG。 
隨著可再生能源采用率不斷提高，對于高峰需求管理和持續供電保障等相關解決方案的需求也隨之日益增長。要想維持電網穩定性和降低成本，就必須要削減電力需求高峰時段的用電量，即采取削峰填谷。利用 QDual3 模塊，制造商可以在相同系統尺寸下，設計出發電和蓄電能力更強的太陽能逆變器和儲能系統，提高能源管理效率，增強儲存能力，從而更平穩地將太陽能電力并網到電網中。此外，該模塊還支持將多余的電力儲存在儲能系統中，能夠有效緩解太陽能發電的間歇性問題，確保供電的可靠性和穩定性。對于大型系統應用，可以將這些模塊通過并聯來提升輸出功率，達到數兆瓦級別。與傳統的600A模塊解決方案相比，800A的QDual3模塊顯著減少了所需模塊的數量，極大地簡化了設計復雜度并降低了系統成本。 QDual3 IGBT 模塊采用 800 A 半橋配置，集成了新的第 7 代溝槽場截止 IGBT 和二極管技術，采用安森美的先進封裝技術，從而降低了開關損耗和導通損耗。得益于 FS7 技術，裸片尺寸縮小了 30%，每個模塊可以容納更多的裸片，從而提高了功率密度，最大電流容量達到 800 A 或更高。該 800 A QDual3 模塊的 IGBT Vce(sat) 低至 1.75V（175℃），Eoff較低，能量損耗比最接近的替代方案低 10%。此外，QDual3 模塊還滿足汽車應用所要求的嚴格標準。 “隨著卡車和巴士等商用車隊的電氣化程度提高，以及市場對可再生能源的需求增加，需要能夠更高效地發電、儲存及分配電力的解決方案。以盡可能低的功率損耗將可再生能源輸送到電網、儲能系統及下游負載正變得日益關鍵�！卑采离娫捶桨甘聵I群工業電源部副總裁Sravan Vanaparthy指出，“QDual3采用遵循行業標準的引腳排列，提供出色的能效，為電力電子設計師們提供了一種即插即用的解決方案，并即刻實現系統性能的提升�！� 更多信息請訪問： 產品頁：NXH800H120L7QDSG, SNXH800H120L7QDSG 數據手冊：NXH800H120L7QDSG, SNXH800H120LQDSG |
