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來源: 集微網 作者:武守哲 盡管臺積電在其第一季度電話會議中將其業績下滑歸因于宏觀經濟疲軟和終端市場需求不振，但終端市場需求并未改善。對此，seekingalpha知名半導體分析師Robert Castellano對臺積電在發布Q2財報之前做了分析。 他認為，2022年第二季度，全球智能手機出貨量下降至2.87億部，這是自2020年第二季度疫情首次爆發以來的最低季度數據。 2023年第二季度，全球個人電腦市場的下滑趨勢有所減緩，臺式機和筆記本電腦的總出貨量同比下降11.5%，達到6210萬臺。在此之前，出貨量連續兩個季度下降超過30%。然而，第二季度的出貨量環比增長了11.9%。 然而，臺積電的技術實力正在緩解終端市場需求的下降和整體經濟低迷帶來的影響。在7 nm以下節點，臺積電的市場份額達到了近90%。該公司將近90%的3nm晶圓產能供應給了蘋果公司。 據報道，到2023年底，3nm晶圓的產量將達到每月10萬片。 臺積電2023年的收入分析： 臺積電首席財務官黃仁昭在2023年第一季度財報電話會議中指出： “由于宏觀經濟疲軟和終端市場需求不振，我們的第一季度營收環比下降18.7%（以新臺幣計）或16.1%（以美元計），這導致客戶相應地調整了需求。預計第二季度的業務將繼續受到客戶進一步調整庫存的影響。根據當前的業務前景，我們預計第二季度的營收將在152億美元到160億美元之間，即在這個中間值附近，環比下降為6.7%。進入2023年第二季度，我們預計我們的業務將繼續受到客戶庫存調整的影響�，F在我們預計2023年上半年的營收以美元計將比去年同期下降約10%，而之前預計的下降幅度為中高個位數百分比�！� 基于合并計算，2023年6月的營收約為1564億元新臺幣（約合49.8億美元），環比5月下降11.4%，同比2022年6月下降11.1%。2023年1月至6月的營收總額為9894.7億元新臺幣（約合315.1億美元），與2022年同期相比下降3.5%。 表格1（上圖）顯示了實際的第二季度營收數據，環比下降5.5%（以新臺幣計）或8.0%（以美元計）。因此，營收增長1.3%，超過了預計的-6.7%（以美元計）。 2023年上半年，營收為9894.74億元新臺幣，較去年同期的10252.16億元新臺幣下降3.5%，以美元計下降6.0%。因此，營收增長4%，超過了預計的-10%（以美元計）。 下圖顯示了2022年1月至2023年6月每個季度的總營收增長情況（藍色柱形圖），同時還顯示了營收環比變化（橙色線條）。 如上所述，在7 nm以下節點，臺積電享有主導地位，這為他們帶來了一個優勢，即隨著節點減少，晶圓價格會更高。根據《全球半導體設備：市場、市場份額和市場預測》的數據，晶圓的價格如下： 7nm晶圓價格為9000美元，3nm晶圓價格為18000美元。 65nm晶圓價格為5000美元，16nm晶圓價格為8000美元。 這些較高的價格在很大程度上緩解了宏觀經濟狀況的疲軟和終端市場需求的下降，尤其是在消費電子產品領域。 臺積電首席執行官魏哲家在2023年第一季度財報電話會議中指出。 “對于2023年的整個年度，我們預計半導體市場（不包括存儲器）的下降幅度將在中個位數百分比范圍內，而代工行業將下降高個位數百分比。目前，我們預計2023年全年的營收以美元計將下降低至中個位數百分比，而我們的業務將比半導體（存儲器除外）和代工行業表現更好，得益于我們強大的技術領導地位和差異化優勢�！� 重要的是，由于2023年上半年的營收增長比臺積電在2023年第一季度給出的預測高4%，并且當時預測2023年全年會下降至中個位數百分比，因此我預計其年同比營收可能保持平穩，而非下降。 按節點劃分的臺積電營收情況 根據最近的財報電話會議，預計2023年，臺積電將在高性能計算（HPC）和智能手機應用的支持下充分利用N3工藝。預計N3在第三季度開始為我們的營收做出重要貢獻，并且在2023年，N3將為我們的總晶圓營收貢獻中個位數百分比。同時，N2技術的開發進展順利，預計將在2025年實現量產。 截至2023年第一季度，臺積電的營收尚未包括N3工藝的數據，如表所示。 對于已經產生收入的產品，表2顯示了臺積電在7 nm和5 nm工藝節點上的營收情況，其中7nm工藝用于英偉達（NVDA）的A100芯片，而5nm工藝用于H100芯片。盡管預計7nm工藝的營收會下降，但5nm工藝在2022年第3季度和2023年第1季度之間的突然增長可能是由于芯片供應過剩和客戶存貨天數較長所致。 但需要記住的是，英偉達主要由一家供應商臺積電供應，而臺積電為500多家客戶生產了近1.3萬種不同的芯片。 在5 nm工藝節點上，蘋果是臺積電最大的客戶，占據約50%的份額，緊隨其后的是高通（QCOM）占25%，英偉達、AMD和其他客戶占剩余份額。 在7nm工藝節點上，AMD（25%）、英偉達（20%）、高通（10%）和聯發科（Mediatek，10%）都是臺積電最重要的7nm工藝客戶。 因此，5 nm和7 nm工藝的營收下降是因為客戶營收下滑、庫存較高以及芯片采購放緩。例如，上個季度蘋果的營收下降了19%，而高通的庫存天數增加到了151天，而英偉達的庫存天數為175天，但較上個季度的200天有所下降。 臺積電計劃在2025年開始大規模生產其最小的2nm芯片，而英特爾則計劃在2024年實現其2nm工藝節點，三星則計劃在2025年達到這一里程碑。 人工智能收入 隨著人工智能不斷重塑全球范圍內的各行業，臺積電認識到該技術的重要性，并積極參與其發展。公司先進的半導體制造工藝對于生產人工智能專用芯片至關重要。臺積電的尖端制造技術可以打造出專用處理器，包括圖形處理器（GPU）和人工智能加速器，這些處理器對于深度學習和其他人工智能應用至關重要。 臺積電與專注于人工智能的公司合作取得了重大進展。與英偉達和AMD等領先的人工智能硬件開發商的合作使其能夠生產高性能的人工智能芯片，促進自動駕駛等領域取得突破性進展。 表3展示了臺積電生產的人工智能芯片，包括新近宣布的AMD MI300芯片。 封裝業務收入 臺積電的CoWoS封裝技術允許將多個芯片或裸片集成到單個封裝中。這使得不同類型的芯片，如處理器、存儲器和顯卡可以組合到一個封裝中，從而提高性能、降低功耗和減小尺寸。 AMD、博通（Broadcom）、Marvell和英偉達是臺積電CoWoS技術的最大客戶，而如果基于硅中間層的CoWoS供應無法滿足需求，采用扇出封裝技術的外包封裝測試服務商正在爭奪潛在的訂單。 例如，根據《DigiTimes》的報道，英偉達最近獲得了臺積電的承諾，將用CoWoS技術在2023年每月新增1.1萬片晶圓。而臺積電的CoWoS產能每月只有8000到9000片。 Nvidia和AMD利用了大約70%到80%的CoWoS產能，使其成為這項技術的主要用戶。緊隨其后，Broadcom成為第三大用戶，約占可用CoWoS晶圓加工能力的10%。剩余的產能分配給其他20家無晶圓廠芯片設計公司。 據臺積電表示，CoWoS擴展的兩個推動因素是客戶計劃長期產能以及需要CoWoS和3D堆疊的高性能計算和個人電腦CPU等應用領域的擴展。這將導致產能的擴張，目前臺積電正在對此進行評估。 2022年，臺積電的先進封裝業務占據了其總收入的7%。我預測，2023年該公司的先進封裝業務將創造54億美元的收入，并在2025年增長至91.1億美元，占總收入的7%-9%。 根據我們的報告《高密度封裝（MCM，MCP，SIP，3D-TSV）：市場分析與技術趨勢》，從2022年到2025年，相較于臺積電總收入增長率10.0%，CoWoS的收入將以19.7%的復合年增長率增長。 競爭如何呢？ 在臺積電第一季度財報電話會議上，CEO魏哲家詳細介紹了其3 nm和2 nm工藝節點的時間表和進展情況。 重要的是： N3P計劃于2024年下半年投入生產，將進一步增強N3E的性能。與N3E相比，在相同漏電情況下，N3P速度提升了5%，相同速度下功耗降低了5-10%，芯片密度增加了1.04倍。 N3X優先考慮高性能計算應用的性能和最大時鐘頻率。在1.2V的驅動電壓下，與N3P相比，N3X速度提升了5%，芯片密度與N3P相同，并將于2025年開始大規模生產。 N3AE，也稱為“Auto Early”，預計于2023年推出，基于N3E提供了用于汽車應用的工藝設計工具包（PDK），允許客戶在3 nm節點上推出用于汽車應用的設計，從而在2025年實現完全符合汽車行業標準的N3A工藝。 但該公司并未提及競爭。三家制造小于7 nm芯片的公司之間的競爭將取決于其產品的技術特性，這些特性來源于芯片設計和節點轉換路線圖。下面的表4顯示了2020年至2025年間臺積電、三星和英特爾的技術路線圖。 三星目前的3nm工藝的良率為60%至70%，略高于臺積電的55%。具體來說： SF3工藝將采用三星的3nmGAP技術，并依賴于全環繞柵極（GAA）晶體管，該技術被公司稱為MBCFETs。 SF4X是三星的第四代4納米工藝，相比三星的第二代4納米工藝SF4，性能提升10%，功耗效率提升23%。SF4X將與臺積電的N4P競爭。 三星計劃在2025年開始量產適用于移動應用的2 nm工藝，然后在2026年擴展到高性能計算領域，并在2027年進入汽車領域。 英特爾的目標是在四年內實現五個工藝節點。Meteor Lake將基于英特爾的7 nm芯片生產節點，也被稱為Intel 4。Granite Rapids將在2023年下半年從Intel 4升級到Intel 3工藝。Arrow Lake將在2024年上半年使用Intel 20A工藝。在2024年下半年推出Intel 18A芯片。 Intel 4和3是英特爾首次部署EUV的工藝節點，代表著在晶體管每瓦特性能和密度方面邁出重要一步。而Intel 20A計劃在2024年上半年投入生產，并且代表了一次重大的技術飛躍。它同時引入了一種新的晶體管架構——RibbonFET（通常稱為全環柵或納米片晶體管），以及PowerVia背面供電技術。 根據分析，臺積電未來的強勁增長也依賴于晶圓廠建設。重要的是，如果沒有ASML的EUV技術（極紫外線），晶圓廠能無法實現最小工藝節點。據估計，在2015年至2022年期間，臺積電從ASML購買了101套EUV光刻系統，而三星購買了31套，英特爾購買了26套。 表5顯示了臺積電、三星和英特爾計劃中和潛在的晶圓廠建設情況。它們都將從美國的芯片法案或不同國家的芯片激勵計劃中獲益。 從多個指標來看，臺積電在技術領先方面有明顯的優勢，并且在工藝節點遷移方面領先六個月。三星將通過采用先進的邏輯架構，包括3 nm的GAA和MBCFET，逐漸縮小技術差距。如果有足夠的產能可供使用，GAA功耗降低50%，整體性能提升35%，將成為客戶遷移至三星的推動力。但產能差距仍然存在。 然而，三星最近一直在失去客戶，這些客戶轉而選擇了臺積電。例如，英偉達選擇了三星的8 nm工藝節點用于RTX 30系列，但由于低產量的原因，英偉達最終放棄了三星，轉而選擇了臺積電的4nm工藝節點用于其高端RTX 40系列。 |
