東芝推出第3代650V SiC肖特基勢壘二極管，助力提高工業設備效率

發布時間：2023-7-13 18:07 發布者：eechina

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出最新一代[1]用于工業設備的碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管（SBDs）——“TRSxxx65H系列”。首批12款產品（均為650V）中有7款產品采用TO-220-2L封裝，其余5款采用DFN8×8封裝，于今日開始支持批量出貨。

新產品在第3代SiC SBD芯片中使用了一種新金屬，優化了第2代產品的結勢壘肖特基（JBS）結構[2]。它們實現業界領先[3]的1.2V（典型值）低正向電壓，比上一代的1.45V（典型值）低17%。此外，新產品還在正向電壓與總電容電荷之間以及正向電壓與反向電流之間取得了平衡，從而在降低了功耗的同時提高了設備效率。

 應用
- 開關電源
- 電動汽車充電樁
- 光伏逆變器

 特性
- 業界領先[3]的低正向電壓：VF＝1.2V（典型值）（IF＝IF(DC)）
- 低反向電流：TRS6E65H IR＝1.1μA（典型值）（VR＝650V）
- 低總電容電荷：TRS6E65H QC＝17nC（典型值）（VR＝400V，f＝1MHz）

 主要規格
（除非另有說明，Ta＝25℃）

產品型號	封裝	絕對最大額定值					電氣特性				庫存查詢與購買
		重復峰值反向電壓VRRM（V）	正向DC電流		非重復峰值正向浪涌電流IFSM（A）		正向電壓（脈沖測試）VF（V）	反向電流	總電容	總電容電荷QC（nC）
			IF(DC)（A）		非重復峰值正向浪涌電流IFSM（A）		正向電壓（脈沖測試）VF（V）	（脈沖測試）IR（μA）	Ct（pF）	總電容電荷QC（nC）
				溫度條件Tc（℃）	f＝50Hz（半正弦	方波，t＝10μs，Tc＝25℃	IF＝IF(DC)	VR＝650V	VR＝400V，f＝1MHz
					波，t＝10ms），		IF＝IF(DC)	VR＝650V	VR＝400V，f＝1MHz
					Tc=25℃		典型值	典型值	典型值	典型值
TRS2E65H	TO-220-2L	650	2	164	19	120	1.2	0.2	10	6.5	在線購買
TRS3E65H			3	161	28	170		0.4	14	9	在線購買
TRS4E65H			4	158	36	230		0.6	17	12	在線購買
TRS6E65H			6	153	41	310		1.1	24	17	在線購買
TRS8E65H			8	149	56	410		1.5	31	22	在線購買
TRS10E65H			10	148	62	510		2	38	27	在線購買
TRS12E65H			12	148	74	640		2.4	46	33	在線購買
TRS4V65H	DFN8×8		4	155	28	230		0.6	17	12	在線購買
TRS6V65H			6	151	41	310		1.1	24	17	在線購買
TRS8V65H			8	148	45	410		1.5	31	22	在線購買
TRS10V65H			10	145	54	510		2	38	27	在線購買
TRS12V65H			12	142	60	640		2.4	46	33	在線購買

本文地址：http://m.qingdxww.cn/thread-830173-1-1.html 【打印本頁】

本站部分文章為轉載或網友發布，目的在于傳遞和分享信息，并不代表本網贊同其觀點和對其真實性負責；文章版權歸原作者及原出處所有，如涉及作品內容、版權和其它問題，我們將根據著作權人的要求，第一時間更正或刪除。