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NETSOL自旋轉(zhuǎn)移力矩磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（STT-MRAM）。數(shù)據(jù)始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無限的耐久性特性，它適用于工業(yè)設(shè)計(jì)中的代碼存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲(chǔ)器和工作存儲(chǔ)器。 Parallel STT-MRAM的容量范圍從1Mbit到16Mbit。是一個(gè)具有并行異步接口的完全隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。支持x16或x8I/O模式。x16I/O模式允許通過數(shù)據(jù)字節(jié)控制（LB、UB）進(jìn)行低位和高位字節(jié)訪問。 它支持異步頁面模式功能，以提高讀寫性能。x16 I/O模式和x8 I/O模式的頁面大小分別為4個(gè)字和8個(gè)字。該設(shè)備提供工業(yè)（-40℃至85℃）工作溫度范圍。官方代理英尚微支持提供樣品測(cè)試。 核心特征 容量:1Mb、2Mb、4Mb、8Mb、16Mb、32Mb,64Mb 電源供應(yīng)：1.8V（1.7V～1.95V）或3.3V（2.7V～3.6V） Parallel異步接口x16/x8I/O 數(shù)據(jù)保存期：10年 讀取耐力：無限 擦寫耐力:1014 無需外部ECC 封裝：48FBGA、44TSOP2、54TSOP2 Netsol 1Mb~16Mb非易失性Parallel STT-MRAM選型表：https://www.sramsun.com/list-831-1.html |
