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來源：全球半導體觀察整理 Tesla最近表示將在不損害汽車性能和效率的前提下，在下一代電動汽車平臺縮減75% SiC用量，這是Tesla提供的關于新車計劃的少數硬性細節之一，由此引發了業界的各種猜測。 據TrendForce集邦咨詢了解， SiC可靠性以及供應鏈的穩定性確實令Tesla信心不足，過去幾年中曾因此出現過Model 3批量召回事件，當時Tesla官網解釋為“后電機逆變器功率半導體元件可能存在微小的制造差異，其中部分車輛使用一段時間后元件制造差異可能會導致后逆變器發生故障，造成逆變器不能正常控制電流”，這直接指向SiC。 此外，以襯底材料為關鍵的產能緊缺情況已成為困擾整個SiC產業發展的難題，Wolfspeed、Infineon、ST等主要廠商正在大舉擴充產能，Tesla亦在尋求多元化供應商方案，以防備供應鏈風險。 不可否認的是，SiC仍是電動汽車制造商未來必須考慮的核心零組件，這包括Tesla。因此，若考量到技術變革所帶來的影響，TrendForce集邦咨詢認為Tesla下一代電動汽車主逆變器將做出全新的封裝調整，可能包括SiC/ Si IGBT的混合封裝方案，這是工程設計層面的顛覆性創新，但充滿挑戰。 與此同時，TrendForce集邦咨詢認為Tesla下一代電動汽車關鍵SiC MOSFET工藝亦或由Planar結構轉向Trench結構，Infineon、ROHM、BOSCH為Trench SiC MOSFET主要供應商。 這些技術的改變將大幅縮減SiC成本，降低整車系統復雜性與成本，進而推動SiC在中低階車型中的滲透，但亦將對Si IGBT形成一定的沖擊。 作為車用SiC市場風向標，Tesla的一舉一動持續為業界予以高度關注，考慮到其下一代電動汽車平臺信息尚不明朗，因此當前種種猜測仍需時日去佐證。 |
