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來(lái)源：集微網(wǎng) 日前，臺(tái)積電發(fā)出活動(dòng)通知，預(yù)計(jì)12月29日在臺(tái)南科學(xué)園區(qū)的晶圓18廠新建工程基地，舉行3納米量產(chǎn)暨擴(kuò)廠典禮，屆時(shí)將有上梁儀式。 業(yè)界認(rèn)為，由于臺(tái)積電過(guò)往先進(jìn)制程量產(chǎn)罕有舉辦實(shí)體活動(dòng)，此舉意義重大。據(jù)臺(tái)灣地區(qū)媒體經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，臺(tái)積電擴(kuò)大美國(guó)投資，外派工程師赴美支援，引發(fā)“去臺(tái)化”、掏空臺(tái)灣疑慮，即將舉行的3納米量產(chǎn)暨擴(kuò)廠典禮，罕見(jiàn)以實(shí)際行動(dòng)宣示持續(xù)深耕臺(tái)灣的決心，化解外界疑慮。 報(bào)道指出，相較于對(duì)手三星（Samsung）于今年6月30日搶先宣布3納米GAA技術(shù)量產(chǎn)，并于7月25日在京畿道華城廠區(qū)內(nèi)盛大舉行3納米GAA晶片產(chǎn)品出廠紀(jì)念活動(dòng)，臺(tái)積電3納米量產(chǎn)時(shí)間晚了近半年。 此前，臺(tái)積電總裁魏哲家曾表示，3納米技術(shù)發(fā)展很困難，有許多客戶踴躍合作，臺(tái)積電3納米沿用FinFET架構(gòu)，是經(jīng)過(guò)考慮良久，制程技術(shù)推出不是好看、要實(shí)用，要協(xié)助客戶讓產(chǎn)品持續(xù)推進(jìn)。 相較于5納米，臺(tái)積電3納米制程技術(shù)的邏輯密度將增加70%，在相同功耗下速度提升10%至15%，在相同速度下功耗降低25%至30%。預(yù)計(jì)蘋(píng)果及英特爾等客戶都將采用臺(tái)積電3納米制程。 據(jù)了解，臺(tái)積電的南科晶圓18廠是5納米及3納米的生產(chǎn)基地，其中，晶圓18廠5期至9期廠房是3納米生產(chǎn)基地。 臺(tái)積電美國(guó)亞利桑那州廠第1期工程，預(yù)計(jì)2024年量產(chǎn)4納米；第2期工程開(kāi)始興建，預(yù)計(jì)2026年生產(chǎn)3納米制程，兩期工程總投資金額約400億美元，兩期工程完工后合計(jì)將年產(chǎn)超過(guò)60萬(wàn)片晶圓。 他說(shuō)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)用的是腦力，在大部分國(guó)家都有工程師不足情況；不是工廠搬到哪個(gè)地方，那個(gè)地方就會(huì)發(fā)展茂盛，“門(mén)都沒(méi)有”。 |
