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來源：集微網 日前，臺積電發出活動通知，預計12月29日在臺南科學園區的晶圓18廠新建工程基地，舉行3納米量產暨擴廠典禮，屆時將有上梁儀式。 業界認為，由于臺積電過往先進制程量產罕有舉辦實體活動，此舉意義重大。據臺灣地區媒體經濟日報報道，臺積電擴大美國投資，外派工程師赴美支援，引發“去臺化”、掏空臺灣疑慮，即將舉行的3納米量產暨擴廠典禮，罕見以實際行動宣示持續深耕臺灣的決心，化解外界疑慮。 報道指出，相較于對手三星（Samsung）于今年6月30日搶先宣布3納米GAA技術量產，并于7月25日在京畿道華城廠區內盛大舉行3納米GAA晶片產品出廠紀念活動，臺積電3納米量產時間晚了近半年。 此前，臺積電總裁魏哲家曾表示，3納米技術發展很困難，有許多客戶踴躍合作，臺積電3納米沿用FinFET架構，是經過考慮良久，制程技術推出不是好看、要實用，要協助客戶讓產品持續推進。 相較于5納米，臺積電3納米制程技術的邏輯密度將增加70%，在相同功耗下速度提升10%至15%，在相同速度下功耗降低25%至30%。預計蘋果及英特爾等客戶都將采用臺積電3納米制程。 據了解，臺積電的南科晶圓18廠是5納米及3納米的生產基地，其中，晶圓18廠5期至9期廠房是3納米生產基地。 臺積電美國亞利桑那州廠第1期工程，預計2024年量產4納米；第2期工程開始興建，預計2026年生產3納米制程，兩期工程總投資金額約400億美元，兩期工程完工后合計將年產超過60萬片晶圓。 他說，半導體產業用的是腦力，在大部分國家都有工程師不足情況；不是工廠搬到哪個地方，那個地方就會發展茂盛，“門都沒有”。 |
