|
來源：IT之家 據臺灣《經濟日報》，臺積電將于 8 月 30 日在新竹舉行技術論壇，將披露最新技術進展和客戶成果，外界高度關注臺積電是否會釋放更多 2nm 制程的消息。 值得一提的是，臺積電今年 6 月在北美的技術論壇上首度推出采用納米片電晶體架構的 2nm 制程，預計 2025 年開始量產。 從臺積電之前給出的數據來看，N2 是其第一個使用環繞柵極晶體管 (GAAFET) 的節點，而非現在的 FinFET（鰭式場效應晶體管）。 新的制造工藝將提供全面的性能和功率優勢。在相同功耗下，N2 比 N3E 速度快 10~15%；相同速度下，功耗降低 25~30%。不過，與 N3E 相比，N2 僅將芯片密度提高了 10% 左右。 IT之家了解到，臺積電將 N2 工藝定位于各種移動 SoC、高性能 CPU 和 GPU。具體表現如何，還需要等到后續測試出爐才能得知。 |
