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來源：集微網(wǎng) 據(jù)重慶日報報道，重慶萬國半導體科技有限公司 (以下簡稱“重慶萬國”) 已成功造出西南地區(qū)首顆獨立開發(fā)、設計并自行完成晶圓制造與封裝測試的 IGBT 元件。目前該 IGBT 元件通過用戶試用，預計今年年內(nèi)實現(xiàn)量產(chǎn)。 (IGBT，Insulated Gate Bipolar Transistor，即絕緣柵雙極型晶體管） 據(jù)悉，重慶萬國在今年年初啟動 IGBT 元件項目研發(fā)，該元件具有飽和壓降低，開關損耗小，電流短路能力強等特點，可用于消費電器與工業(yè)電器的動能轉(zhuǎn)換。 重慶萬國市場資深經(jīng)理李仁果介紹，在過去 12 個月的出貨量中，重慶萬國做到每 10 億顆芯片中，不良率只有 3 顆。 目前，重慶萬國已啟動上市計劃，并已引入京東方等行業(yè)頭部企業(yè)或?qū)I(yè)投資機構(gòu)作為戰(zhàn)略投資人。下一步，重慶萬國將進一步加快半導體芯片及半導體芯片封裝的設計、制造、銷售，不斷推出創(chuàng)新產(chǎn)品。 百科知識 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場效應管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（Giant Transistor，GTR）的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR 飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET 驅(qū)動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT 綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為 600V 及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。 IGBT 是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷追Q電力電子裝置的“CPU”，作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。 IGBT 模塊是由 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與 FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產(chǎn)品；封裝后的 IGBT 模塊直接應用于變頻器、UPS 不間斷電源等設備上。 IGBT 模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點；當前市場上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品，一般所說的 IGBT 也指 IGBT 模塊；隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進，此類產(chǎn)品在市場上將越來越多見。 |
