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Netsol半導體4Mb異步快速SRAM-S6R4016W1A-UI10

發布時間:2022-8-9 17:15    發布者:英尚微電子
Netsol是一家位于韓國的無晶圓存儲器半導體設計公司,成立于 2010 年。開發和銷售具有高標準質量和可靠性的非商品存儲器產品。目前的產品是異步快速 SRAM、低功耗 SRAM、同步 SRAM、四重/DDR SRAM 和 SLC NAND 閃存。主要客戶群是工業、商業和通信,我們的高速、低延遲和低功耗內存設計技術得到認可。

S6R4016W1A-UI10是4,194,304位高速靜態隨機存取存儲器SRAM,按16位組織為256K字。 最大快速訪問時間10ns。使用16條公共輸入和輸出線,并具有一個輸出使能引腳,該引腳的運行速度比讀取周期中的地址訪問時間快。而允許通過數據字節控制(UB、LB)來訪問低字節和高字節。該器件采用先進的 CMOS 工藝、基于 6-TR 的單元技術制造,專為高速電路技術而設計。它特別適用于高密度高速系統應用。采用 400mil 44 引腳 TSOP2 封裝。更多產品信息洽談官方代理英尚微電子

快速異步型SRAM,存取時間為35ns(或更短)的異步型SRAM可被歸類為“快速”異步型SRAM。這些存儲器通常應用于老式系統中,且功耗較高。其典型應用包括老式PC L2高速緩沖存儲器、高速暫存器以及工業應用中的緩沖存儲器。


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