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“天外來(lái)客”碳化硅,價(jià)值幾何?

發(fā)布時(shí)間:2022-7-22 09:59    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 碳化硅 , SiC
來(lái)源:AVNET

無(wú)論是過(guò)去還是現(xiàn)在,人類(lèi)對(duì)新材料探索的腳步便從未停止。我們用智慧一次又一次打破了自然界秩序的束縛,如造物主一般創(chuàng)造設(shè)計(jì)出聞所未聞見(jiàn)所未見(jiàn)的新材料,現(xiàn)代社會(huì)也因此發(fā)生了深刻而又全面的改變。

在天然環(huán)境下, 碳化硅(SiC)幾乎不存在,人們只在46億年前誕生的隕石中發(fā)現(xiàn)過(guò)其蹤跡。而如今,這位經(jīng)歷46億年時(shí)光之旅的“天外來(lái)客”已經(jīng)摘下了神秘的面紗,走進(jìn)人們的日常生活中。

硅基半導(dǎo)體陷入瓶頸,WBG接棒前行

任何元器件在其單位體積的功率轉(zhuǎn)換都有“天花板”,第一代和第二代半導(dǎo)體材料在輸出功率方面似乎已達(dá)極限。在過(guò)去50年中,硅(Si)功率元器件的出現(xiàn)為現(xiàn)代工業(yè)技術(shù)以及各類(lèi)消費(fèi)電子產(chǎn)品的發(fā)展鋪平了道路。但硅材料器件性能提高的潛力愈來(lái)愈小。不少?gòu)S家為追求更高能效而被迫增大器件體積也實(shí)屬是無(wú)奈之舉。

禁帶寬度僅有1.12eV的硅材料半導(dǎo)體,在現(xiàn)代大功率應(yīng)用場(chǎng)景中已有些力不從心。而WBG(寬帶隙半導(dǎo)體)擁有著更高的臨界電場(chǎng)可實(shí)現(xiàn)更薄、更高摻雜的電壓阻擋層,可使其在多數(shù)載流子架構(gòu)中將導(dǎo)通電阻降低幾個(gè)數(shù)量級(jí)。高擊穿電場(chǎng)和低導(dǎo)通損耗意味著 WBG可以以更小的外形尺寸實(shí)現(xiàn)相同的阻斷電壓和導(dǎo)通電阻。可以生成更小、更快、更高效的器件,并在高壓、高溫的嚴(yán)酷環(huán)境中正常工作。也正因如此,集萬(wàn)千優(yōu)點(diǎn)于一身的WBG自然成為了各類(lèi)新興應(yīng)用的關(guān)鍵助燃劑。

電力電子領(lǐng)域從半導(dǎo)體工藝技術(shù)的創(chuàng)新中受益匪淺,以碳化硅為代表WBG材料半導(dǎo)體已經(jīng)開(kāi)始在各個(gè)領(lǐng)域中開(kāi)枝散葉。特別是在汽車(chē)電子領(lǐng)域中。對(duì)于電動(dòng)汽車(chē)來(lái)說(shuō),能效至關(guān)重要,作為動(dòng)力總成系統(tǒng)的關(guān)鍵部件,電動(dòng)汽車(chē)逆變器對(duì)功率密度有著與生俱來(lái)的高要求。車(chē)載功率半導(dǎo)體器件不僅是電動(dòng)汽車(chē)的機(jī)體組成,而且還承擔(dān)著降低成本、瘦身減重的重要使命。曾經(jīng)基于低損耗大功率Si IGBT模塊的高功率密度集成技術(shù)在車(chē)用驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中扮演著無(wú)法取代的角色。

車(chē)企新寵——碳化硅

但隨著系統(tǒng)輕量化和縮短充電時(shí)間的需求增加,人們對(duì)提高電壓和輸出功率的要求越來(lái)越高。與采用傳統(tǒng)的Si IGBT功率模塊相比, 碳化硅功率元器件可將導(dǎo)通電阻降低到大約兩個(gè)數(shù)量級(jí),在提高輸出功率的同時(shí)有效實(shí)現(xiàn)逆變器的小型化和輕量化,從而為設(shè)計(jì)師留下了更多的遐想空間。碳化硅功率器件在應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)時(shí),還可以廣泛降低功率損耗,被公認(rèn)為是一種簡(jiǎn)單、優(yōu)雅且實(shí)用的功率器件。

碳化硅功率器件在新能源汽車(chē)上的應(yīng)用,可以提升續(xù)航,縮短充電時(shí)間,加上原本的城市低速場(chǎng)景節(jié)能優(yōu)勢(shì),使新能源車(chē)越發(fā)符合消費(fèi)者理想中的汽車(chē)標(biāo)準(zhǔn)。當(dāng)然,碳化硅也并非完美無(wú)缺,相對(duì)較高的成本和較低的良率等問(wèn)題仍需要優(yōu)化解決。也正因如此,碳化硅半導(dǎo)體搭載于一些高端、高性能新能源車(chē)型上,欲想大面積普及,依然任重道遠(yuǎn)。

在碳中和浪潮之下,在后摩爾時(shí)代的今天,以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體已成為眾多半導(dǎo)體巨頭們的“兵家必爭(zhēng)之地”。走到了聚光燈下碳化硅半導(dǎo)體, 是名副其實(shí)的車(chē)用半導(dǎo)體明日之星。毫無(wú)疑問(wèn),它有著光明的未來(lái)。
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