數(shù)字化、低碳化等全球大趨勢推升了采用寬帶隙 (WBG)器件碳化硅/氮化鎵 (SiC/GaN) 器件的需求。這類器件具備獨特的技術(shù)特性，能夠助力電源產(chǎn)品優(yōu)化性能和能源效率。英飛凌科技公司 (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) 與臺達電子工業(yè)股份有限公司 (TWSE: 2308) 兩家全球電子大廠，長期致力于創(chuàng)新的半導(dǎo)體和電力電子領(lǐng)域，今日宣布深化其合作，強化寬帶隙SiC及GaN器件在高端電源產(chǎn)品上的應(yīng)用，為終端客戶提供出色的解決方案。
600 V CoolGaN HSOF-8 目前，英飛凌與臺達持續(xù)加深產(chǎn)品的結(jié)合與應(yīng)用合作，臺達最新的 1.4 kW 服務(wù)器電源和 1.6 kW 的 80 Plus鈦金級電競電源皆采用了英飛凌的寬帶隙功率器件。臺達憑借在電力電子領(lǐng)域積累的數(shù)十年的核心競爭力，結(jié)合英飛凌高效能的非對稱溝槽式 CoolSiC™ MOSFET 技術(shù)，推出的1.4 kW 服務(wù)器電源供應(yīng)器，可實現(xiàn)超過 96% 的效率。另一項1.6 kW 鈦金級電競電源則采用英飛凌 CoolGaN™ 技術(shù)與 EiceDRIVER™ 閘極驅(qū)動器 IC，在多電壓輸出時效率可達 96%，遠高于工業(yè)領(lǐng)域的鈦金級標(biāo)準(zhǔn) (94%)，這主要歸因于采用英飛凌的 CoolGaN™ GIT (閘極電流注入晶體管) 600 V e-mode HEMT 技術(shù)，搭配交錯式圖騰柱 PFC 拓撲，讓整體的效率獲得大幅提升。
650 V CoolSiC MOSFET TO247-4 這兩項指標(biāo)性的設(shè)計案例成功地展示了結(jié)合雙方優(yōu)勢所打造的優(yōu)異成果。憑借英飛凌領(lǐng)先業(yè)界、以效能為導(dǎo)向、高可靠性的寬帶隙器件產(chǎn)品組合，以及臺達在電力電子系統(tǒng)的創(chuàng)新能力，共同實現(xiàn)電源供應(yīng)器全新的效率水平，滿足甚至超越了現(xiàn)今80 Plus 的標(biāo)準(zhǔn)。藉由雙方合作的深化，兩家企業(yè)希望透過英飛凌高質(zhì)量且高性價比的寬帶隙技術(shù)，以及高度穩(wěn)定的供貨能力，助力臺達為終端客戶提供更高能效的解決方案，在寬帶隙技術(shù)打造低碳應(yīng)用的浪潮中取得領(lǐng)先地位。 臺達副總裁暨電源及系統(tǒng)事業(yè)群總經(jīng)理尹旋博表示：“臺達每年投入超過8%的營收于研發(fā)創(chuàng)新，為服務(wù)器、電競計算機以及其他多元產(chǎn)業(yè)的客戶，提供高效、可靠的電源方案，滿足其對節(jié)能的需求。要在競爭激烈的市場中實現(xiàn)目標(biāo)、取得成功，需要與值得信賴、對于電源系統(tǒng)領(lǐng)域充分理解的領(lǐng)先器件供貨商合作，并對特定應(yīng)用提供客制化的解決方案。英飛凌是世界級的半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案供貨商，也是臺達長期合作伙伴，其多元、高效的 WBG 產(chǎn)品協(xié)助我們打造領(lǐng)先業(yè)界的電源產(chǎn)品�！� 英飛凌電源與感測系統(tǒng)事業(yè)部高效電源供應(yīng)、隔離與連接事業(yè)線負責(zé)人 Johannes Schoiswohl 表示：“英飛凌對于寬帶隙產(chǎn)品生產(chǎn)規(guī)模的投入和卓越技術(shù)，加上著重于價值鏈上每一階段的質(zhì)量與可靠性，是我們寬帶隙半導(dǎo)體業(yè)務(wù)能夠取得成功，并獲得客戶認(rèn)同的關(guān)鍵因素。我們的器件采用嚴(yán)格的質(zhì)量和可靠性測試程序，超越JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格要求，因此可以預(yù)測我們寬帶隙器件的長期特性，確保在整個產(chǎn)品生命周期內(nèi)的可靠性能。我們很高興能與我們的長期伙伴臺達，基于跨越20多年的合作與信賴，持續(xù)拓展合作項目，利用雙方在技術(shù)與系統(tǒng)領(lǐng)域的專長，為服務(wù)器及電競市場帶來符合未來需求的創(chuàng)新電源解決方案�！� 如需了解更多有關(guān)英飛凌 WBG 產(chǎn)品的詳細信息，請瀏覽 www.infineon.com/wbg 如需了解有關(guān)英飛凌對能源效率貢獻的詳細信息，請瀏覽 www.infineon.com/green-energy |
