UnitedSiC（現已被 Qorvo收購）宣布推出行業先進的高性能 1200 V 第四代 SiC FET

發布時間：2022-5-17 17:15 發布者：eechina

關鍵詞：碳化硅 , UF4C , FET

Qorvo推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場效應晶體管 (FET) 系列，該系列具有出色的導通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線架構，這種架構常見于電動汽車車載充電器、工業電池充電器、工業電源、DC/DC 太陽能逆變器、焊接機、不間斷電源和感應加熱等應用。

UnitedSiC/Qorvo 功率器件總工程師 Anup Bhalla 表示：“我們通過更高性能的第四代器件擴充了 1200V 產品系列，為工程師將總線設計電壓提高到 800V 提供了有力支持。在電動汽車中，這種電壓升高無法避免；這些新器件支持四種不同的 RDS(on)（漏源導通電阻）等級，有助于設計師為每項設計選擇合適的 SiC 器件。”

以下 SiC FET 出色的品質因數展現了全新 UF4C/SC 系列的性能優勢：

品質因數	數值
RDS(on) • A	1.35 mOhm-cm2
RDS(on) • Eoss	0.78 Ohm-uJ
RDS(on) • Coss,tr	4.5 Ohm-pF
RDS(on) • Qg	0.9 Ohm-nC

所有 RDS (on) 選項（23、30、53 和 70 毫歐）都采用行業標準的 4 引腳開爾文源極 TO-247 封裝，以更高的性能水平提供更清潔的開關。53 和 70 毫歐的器件也可采用 TO-247 三引腳封裝。該系列器件采用先進的銀燒結芯片貼裝和晶圓減薄工藝，通過良好的熱性能管理實現了出色的可靠性。

此外， FET-Jet Calculator™ 免費在線設計工具支持所有 1200V SiC FET；可以即時評估在各種 AC/DC 和隔離式/非隔離 DC/DC 轉換器拓撲結構中所用器件的效率、組件損耗和結溫上升指標。它可以在用戶指定的散熱條件下比較單個和并聯器件，以獲取優化解決方案。

全新 1200V 第四代 SiC FET 售價（1000 件起，美國離岸價）為 5.71 美元 (UF4C120070K3S) 到 14.14 美元 (UF4SC120023K4S) 。所有器件均通過授權經銷商銷售。

Qorvo 的碳化硅和電源管理產品面向工業、商業和消費電子領域的充電、驅動和控制應用。

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