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物聯(lián)網(wǎng)及穿戴設(shè)備還未出世前，Serial SRAM并不能吸引主流到SRAM廠商的關(guān)注。隨著串行SRAM的商機(jī)不斷增多，傳統(tǒng)的SRAM廠商進(jìn)軍串行SRAM領(lǐng)域的逐漸增多。容量和帶寬將是兩大推動(dòng)力。 大吞吐量、小巧的串行接口SRAM芯片帶來了無限的可能性。它最終有可能成為眾多電路板上當(dāng)代嵌入式SRAM和并行SRAM的全財(cái)產(chǎn)繼承者。 國(guó)產(chǎn)SRAM廠商安徽偉凌創(chuàng)芯微電子有限責(zé)任公司是一家以市場(chǎng)為導(dǎo)向的無晶圓半導(dǎo)體公司。專注SRAM存儲(chǔ)芯片、顯示驅(qū)動(dòng)，接口轉(zhuǎn)換芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)及銷售。擁有國(guó)際知名設(shè)計(jì)專家及工作經(jīng)驗(yàn)豐富工程師研發(fā)團(tuán)隊(duì)，與國(guó)內(nèi)知名前后道生產(chǎn)合作伙伴緊密合作。為行業(yè)客戶提供高品質(zhì)、低成本，供貨持續(xù)穩(wěn)定的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的集成電路產(chǎn)品，產(chǎn)品領(lǐng)域涵蓋智能感知、網(wǎng)絡(luò)可視化、信息化、信息安全、大數(shù)據(jù)分析、智能語音、應(yīng)用展現(xiàn)、特種通信和智能建筑等。 EMI串行接口的SRAM，外擴(kuò)SRAM可以通過使用SPI的接口來將外部RAM添加到幾乎所有應(yīng)用中。串行訪問的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器采用先進(jìn)的CMOS技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)和制造，以提供高速性能和低功耗。采用單芯片選擇（/ CS）輸入進(jìn)行操作，并通過與SPI兼容的簡(jiǎn)單串行接口進(jìn)行訪問。可在-40℃至+ 85℃（工業(yè)級(jí)）的溫度范圍內(nèi)工作。 并口SRAM芯片可作為強(qiáng)大微處理器的主緩存使用， 通常僅以375mW的功率工作。低功耗提供了電池備份數(shù)據(jù)保留功能，器件采44TSOP2引腳封裝，供電電壓VCC的范圍為2.7~3.6V，屬于普通主板都能提供的弱電輸入電壓。 其作為SRAM最大的特點(diǎn)就是在主機(jī)斷電后，仍能通過由電池供電，繼續(xù)保存已經(jīng)存儲(chǔ)在芯片中的數(shù)據(jù)，并且其數(shù)據(jù)保存所需的電壓VDR降低到1.5V最低，而所需的電流IDR更是低至4μA最大值，SRAM芯片相比DRAM的優(yōu)點(diǎn)在于不需要刷新電路就能保存內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，而且更為快速、低功耗。讀寫延時(shí)在45/55ns左右，可謂是響應(yīng)極其迅速的一款產(chǎn)品，適合用在需高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)脑O(shè)備當(dāng)中。 EMI偉凌創(chuàng)芯SRAM芯片采用先進(jìn)的全CMOS工藝技術(shù)制造，位寬為8/16位異步低功耗SRAM芯片，支持寬電壓范圍2.3V〜5.5V，同時(shí)支持商業(yè)及工業(yè)溫度范圍，封裝采用標(biāo)準(zhǔn)44TSOP2，48BGA，其RAM產(chǎn)品具備高性能，高可靠性，高存儲(chǔ)密度等特性，廣泛應(yīng)用于辦公自動(dòng)化，人工智能，工控設(shè)備，POS設(shè)備，通訊通信行業(yè)等。 |
| EMI偉凌創(chuàng)芯SRAM芯片采用先進(jìn)的全CMOS工藝技術(shù)制造，位寬為8/16位異步低功耗SRAM芯片，支持寬電壓范圍2.3V〜5.5V，同時(shí)支持商業(yè)及工業(yè)溫度范圍，封裝采用標(biāo)準(zhǔn)44TSOP2，48BGA，其RAM產(chǎn)品具備高性能，高可靠性，高存儲(chǔ)密度等特性，廣泛應(yīng)用于辦公自動(dòng)化，人工智能，工控設(shè)備，POS設(shè)備，通訊通信行業(yè)等。 |
