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作者：泛林集團(tuán) 上周，泛林集團(tuán)發(fā)布了Syndion G系列產(chǎn)品的新成員——全新Syndion GP。在本周的微信中，泛林集團(tuán)客戶支持事業(yè)部Reliant系統(tǒng)產(chǎn)品副總裁Evan Patton將為大家講述該產(chǎn)品的開發(fā)背景。 
Syndion GP 最近，智能手機(jī)、筆記本電腦、游戲機(jī)和其他我們喜歡用的設(shè)備所使用的邏輯芯片和存儲芯片可能正占據(jù)著諸多新聞頭條，還有其他一些半導(dǎo)體，雖然并非為大眾所熟知，但它們同樣無處不在。用于控制或轉(zhuǎn)換電力的功率器件就是個很好的例子。如今功率器件在我們?nèi)找鏀?shù)字化的世界中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，支持從移動設(shè)備、空調(diào)與電飯煲等家用電器到電動汽車和高鐵的一切，而且它們的應(yīng)用還在迅速增長。 隨著這些應(yīng)用的不斷拓展，它們的功能也必須改進(jìn)，以支持更高電壓、更快開關(guān)和更高效率。對于芯片制造商而言，先進(jìn)的功率器件正在加速實(shí)現(xiàn)更精確的制造工藝，如高深寬比刻蝕。 過去的功率器件通常在數(shù)十伏到幾百伏電壓之間運(yùn)行；現(xiàn)在它們需要在更高電壓的環(huán)境中運(yùn)行——高達(dá)甚至超過1000伏。 現(xiàn)在，這些功率器件需要在不犧牲外形因素的情況下提高功率容量并改進(jìn)開關(guān)性能，這可以通過采用更高深寬比的溝槽來解決。為此，芯片制造商需要極其精確且均勻的深硅刻蝕工藝來創(chuàng)建這些對實(shí)現(xiàn)器件性能來說至關(guān)重要的溝槽。這些深溝槽的深寬比可以達(dá)到60:1甚至更高，并且要求出色的刻蝕均勻性和輪廓。我們不妨這樣來比較：世界上最高的建筑之一哈利法塔的深寬比約為9:1，這僅為未來特種技術(shù)深硅溝槽深寬比的1/6。
這些器件的精密制造并非易事。泛林集團(tuán)在刻蝕領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位，一直在為這一重要應(yīng)用以及其他應(yīng)用開發(fā)所需的設(shè)備。全新Syndion GP正是基于我們經(jīng)生產(chǎn)驗證的、用于深硅刻蝕的200mm DSiE™和領(lǐng)先的300mm Syndion產(chǎn)品來開發(fā)的。 Syndion GP為功率器件和其他器件的一系列應(yīng)用提供了200mm遷移至300mm橋接解決方案，包括深度、關(guān)鍵尺寸均勻性以及輪廓控制，讓芯片制造商能夠?qū)崿F(xiàn)未來的器件需求。
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