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來源：貿澤電子 隨著新能源汽車和電動飛機概念的興起，在可預見的未來里，電能都將會是人類社會發展的主要能源。然而，隨著電氣化在各行各業的滲透率不斷提升，每年全社會對電能的消耗量都是一個天文數字。比如在中國，根據國家能源局發布的數據，2022年全社會用電量86,372億千瓦時，同比增長3.6%；其中，高速發展的新能源汽車在整車制造方面，用電量大幅增長71.1%。 
圖1：全社會用電量統計（圖源：貿澤電子） 各行業電氣化進程逐漸深入后，我們也必須要考慮到一個嚴峻的問題，那就是節能。當前，任何一種用電設備在設計之初，都會將高能效和低能耗作為兩大核心性能，變頻空調、變頻冰箱等就是其中典型的例子。 要想讓設備不斷實現更好的節能指標，用功率器件取代傳統開關是必要的一步。可以說，功率器件創新的方向就是為了打造更節能的社會。在這里，我們將重點為大家推薦幾款貿澤電子官網在售的功率器件，讓大家有一個直觀的感受：功率器件能夠幫助大家成為節能達人。 降功耗、提密度是IGBT的優勢 功率器件是半導體行業里面的一個重要分支，大量應用于消費電子、工業控制、交通能源、電力電網和航空航天等領域。從具體的設備來看，小到個人用手機和電腦的電源，大到電動汽車、高速列車、電網的逆變器，基本都是以功率器件為核心設計實現的。 在功率器件普及之前，各行各業靠低效、笨重的開關來控制電能，功率器件可以通過切換電路來控制電流，從而取代開關。相較而言，功率器件的優勢包括開關速度快、開關損耗小、通態壓降小、耐高溫高壓，以及功率密度高等。功率器件的典型性能優勢決定了，這些器件能夠從設備運轉、設備待機和設備體積等多方面實現能耗的降低。 功率器件主要分為二極管、三極管、晶閘管、MOSFET和IGBT等。其中，IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）是MOSFET（場效應晶體管）和BJT（Bipolar Junction Transistor，雙極晶體管）的結合體，因此既有MOSFET的優勢，也有BJT的優勢。綜合而言，IGBT的優勢包括高電流、高電壓、高效率、漏電流小、驅動電流小、開關速度快等，被廣泛應用于電力控制系統中。 在低碳浪潮中，IGBT受到了熱捧，其不僅器件可靠性更高，并且相較于傳統的MOSFET、BJT，擁有更低的漏電流，因此器件損耗更低，在具體的使用過程中，借助IGBT只需要一個小的控制信號就能夠控制很大的電流和電壓，在節能的同時也顯著提高了系統的效率。目前，IGBT器件依然在借助新工藝和新模塊方案來進一步降低系統的能耗。 接下來我們將為大家重點介紹一款IGBT智能功率模塊（IPM），來自制造商ROHM Semiconductor，貿澤電子官網上該器件的料號為BM63574S-VC。
圖2：BM6337x/BM6357x IGBT智能功率模塊（圖源：貿澤電子） BM63574S-VC是整個BM6337x/BM6357x IGBT智能功率模塊陣營中的其中一款，這些IGBT IPM產品由柵極驅動器、自舉二極管、IGBT和再生用快速反向恢復二極管組成，工作電壓為600V，可支持的集電極電流最高可至30A。 通過下圖可以看到，這些600V IGBT IPM具有三相DC/AC逆變器、低側IGBT柵極驅動器（LVIC）、高側IGBT門驅動等功能單元。其中，低側IGBT柵極驅動器除了承擔驅動電路的角色，還提供短路電流保護（SCP）、控制電源欠壓鎖定（UVLO）、熱關斷（TSD）、模擬信號溫度輸出（VOT）等保護功能；高側IGBT門驅動器（HVIC）基于SOI（絕緣體上硅）工藝，除了本身的驅動電路，還提供高電壓電平轉換、自舉二極管的電流限制、控制電源欠壓鎖定（UVLO）等功能。
圖3：BM6337x/BM6357x IGBT 智能功率模塊系統框圖（圖源：ROHM Semiconductor） 可以說，BM6337x/BM6357x IGBT智能功率模塊除了發揮IGBT本身的優勢之外，也進行了很多針對性的創新。比如，在高側IGBT門驅動器上采用SOI工藝，提高了開關頻率和功率密度，降低了系統功耗，并簡化了電路設計；高側IGBT門驅動器中內置自舉二極管，可由自舉二極管供電，節省PCB面積并減少元件數量；另外，高側和低側IGBT門驅動器均有欠壓鎖定功能，能夠防止IGBT模塊工作在低效或危險狀態。
圖4：BM6337x/BM6357x IGBT 智能功率模塊典型應用電路（圖源：ROHM Semiconductor） 這些600V IBGT IPM非常適用于AC100至240Vrms（直流電壓：小于400V）類電機控制應用以及空調、洗衣機或冰箱用壓縮機或電機控制等其他應用。 SiC讓節能增效更進一步 從產業發展現狀來看，目前硅是制造芯片和半導體器件最廣泛的原材料，絕大多數的器件都是基于硅材料制造。不過，由于硅材料本身的限制，因此相關器件在高頻和高功率應用方面愈發乏力，以SiC（碳化硅）為代表的第三代半導體大功率電力電子器件則是一個很好的補充。 根據市場調研機構Yole的統計數據，2021年全球SiC功率器件市場規模為10.90億美元，預計2027年市場規模將達到62.97億美元。之所以能夠有如此快速的增長，離不開SiC功率器件的優良性能。SiC功率器件又被稱為“綠色能源器件”，可顯著降低電子設備的能耗。
圖5：全球SiC功率器件市場規模（圖源：Yole） 綜合而言，SiC功率器件有三大方面的性能優勢。 #1 其一是材料本身，作為寬禁帶半導體材料的代表，SiC具備良好的耐高溫性、耐高壓性和抗輻射性，顯著提升器件功率密度； #2 其二是SiC功率器件擁有高擊穿電場強度特性，有助于提高器件的功率范圍，降低通電電阻，使其具備耐高壓性和低能耗性； #3 其三是高飽和電子漂移速率特性，意味著更低的電阻，得以顯著降低能量損失，簡化周邊被動器件。也就是說，無論是器件本身，還是基于SiC功率器件構建的電力系統，都會具備高能效、高功率密度的顯著優勢。 下面我們就來為大家推薦一款具備上述優勢性能的SiC功率器件，來自制造商ROHM Semiconductor，貿澤電子官網上該器件的料號為SCT3060ARC14，屬于ROHM Semiconductor SiC 4引腳溝槽式MOSFET中的一款。
圖6：ROHM Semiconductor SiC 4引腳溝槽式MOSFET（圖源：貿澤電子） ROHM Semiconductor SiC 4引腳溝槽式MOSFET原理上在開關過程中不會產生拖尾電流，可高速運行且開關損耗低。因此與傳統的硅解決方案相比，SiC MOSFET具有更低的導通電阻和更快的恢復速度。 這些SiC MOSFET采用TO-247-4L封裝，這是一種高效的封裝方式，具有獨立的電源和驅動器源極引腳，通過開爾文源極引腳將柵極驅動回路與電源端子分開。因此，由于源電流的上升，導通過程不會因電壓下降而減慢，從而進一步顯著降低導通損耗。
圖7：ROHM Semiconductor SiC 4引腳溝槽式MOSFET引腳示意圖（圖源：ROHM Semiconductor） 這些SiC MOSFET提供650V和1200V兩種型號，是服務器電源、太陽能逆變器和電動汽車充電樁的理想選擇，當然也可以將其應用于DC-DC轉換器、開關電源和感應加熱等應用方向。 傳統功率器件的節能趨勢 上面我們已經提到了，功率器件的種類非常豐富，為了滿足行業對節能增效的需求，不只是IGBT和SiC MOSFET這樣的熱門器件在不斷更新迭代，傳統功率器件也在進行積極創新。 目前，功率器件的創新點有很多。比如SiC和GaN（氮化鎵）這些屬于材料級別的創新；也有結構和工藝的創新，異質結構器件、復合型器件、磁隔離型器件等都是較新的器件結構，制造工藝和封裝工藝也在不斷升級；當然，還有智能化和可重構的趨勢，讓功率器件的使用可以更加靈活。 接下來我們通過一顆具體的器件來看一下，該器件來自制造商Nexperia，貿澤電子官網上的料號為BC857BW-QX。
圖8：BC857BW-QX（圖源：貿澤電子） BC857BW-QX為一款PNP通用晶體管，其具有低電流和低電壓特性，最大電流為100mA，最大電壓為65V，可以幫助系統具備低功耗的優勢。 除了器件本身的特性，BC857BW-QX在封裝方式上采用SOT323表面貼裝的方式，這是一種非常小的封裝方式，并且由過去數十年來一直使用的SOT23封裝發展而來，因此具備小型化和高可靠的優勢。所以，從器件本身來說，BC857BW-QX是一顆小型化和低功耗的器件，也能夠在系統中發揮同樣的優勢，幫助打造高功率密度的產品。 BC857BW-QX符合AEC-Q101車規級認證，適用于汽車應用中的開關和放大應用。 智能化和可重構是未來的大趨勢 上述內容我們主要通過功率器件的材料、結構、封裝和模塊等方向來闡述功率器件的低功耗發展趨勢，這樣的性能優勢讓大家在使用過程中，可以較為從容地應對越來越嚴苛的高能效要求，成為社會應用創新中的節能達人。 面向未來，除了從器件本身和應用電路方面繼續突破以外，功率器件也必須要更重視和人工智能、物聯網技術的結合，需要具有智能化和可重構的特點，以適應智能化、自適應的電力電子應用。當具備這樣的優勢之后，功率器件將能夠賦能更多的終端領域，開啟節能、高效、智能的新時代。 相關技術資源 ROHM Semiconductor的IGBT智能功率模塊，了解詳情>> ROHM Semiconductor SiC 4引腳溝槽式MOSFET，了解詳情>> Nexperia的PNP通用晶體管，了解詳情>> |
