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如何選擇和開始使用功率器件驅(qū)動器

發(fā)布時間:2023-9-11 10:21    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 功率器件
來源:DigiKey
作者:Bill Schweber

所有的分立式開關(guān)功率器件都需要驅(qū)動器,無論這些器件是分立式金屬氧化物硅場效應(yīng)晶體管 (MOSFET)、碳化硅 (SiC) MOSFET、絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 還是模塊。驅(qū)動器是系統(tǒng)處理器的低電壓、低電流輸出端與開關(guān)器件之間的接口元件或“橋梁”,前者在受控的良好環(huán)境中運行,而后者則在惡劣條件下工作,對電流、電壓和定時有著嚴(yán)格的要求。

由于功率器件的特殊性,以及電路和布局中不可避免的寄生效應(yīng),為開關(guān)器件選擇合適的驅(qū)動器對于設(shè)計人員來說具有一定的挑戰(zhàn)性。這種選擇需要仔細(xì)考慮開關(guān)類型(硅 (Si) 或碳化硅 (SiC))和應(yīng)用的參數(shù)。功率器件制造商通常會推薦甚至提供合適的驅(qū)動器,但某些與驅(qū)動器相關(guān)的因素必須根據(jù)應(yīng)用的具體情況進(jìn)行調(diào)整。

雖然在大多數(shù)情況下,我們可以遵循基本的邏輯程序,但有些設(shè)置,如柵極驅(qū)動電阻器的電阻值,是通過反復(fù)分析確定的,還必須通過實際測試和評估來驗證。如果沒有明確的指導(dǎo),這些步驟可能讓原已復(fù)雜的流程變得更繁瑣,并減慢設(shè)計速度。

本文簡要討論了柵極驅(qū)動器的作用。然后,本文提供了驅(qū)動器選擇指南,以及確保與所選功率開關(guān)器件兼容所需的步驟。本文介紹了 Infineon Technologies AG 的低功率和高功率典范器件,以及相關(guān)的評估板和套件,以說明要點。

柵極驅(qū)動器的作用

簡單來說,柵極驅(qū)動器是一種功率放大器,它接受來自控制器 IC(通常為處理器)的低電平、低功率輸入,并在必要的電壓下產(chǎn)生適當(dāng)?shù)母唠娏鳀艠O驅(qū)動,以導(dǎo)通或關(guān)閉功率器件。在這個簡單定義的背后,涉及到電壓、電流、壓擺率、寄生效應(yīng)、瞬變和保護(hù)等一系列復(fù)雜問題。即便隨著開關(guān)速度提高,寄生效應(yīng)和瞬變問題變得更加棘手,驅(qū)動器也必須與系統(tǒng)需求相匹配,并能很好地驅(qū)動功率開關(guān),而不出現(xiàn)過沖或瞬時振蕩。

驅(qū)動器可在不同配置中使用。最常見的包括單低壓側(cè)驅(qū)動器、單高壓側(cè)驅(qū)動器和雙高壓側(cè)/低壓側(cè)驅(qū)動器。

在第一種情況下,功率器件(開關(guān))連接在負(fù)載與接地端之間,而負(fù)載則位于電源軌和開關(guān)之間(圖 1)。(請注意,這里的接地端稱為“公共端”更為恰當(dāng),因為并不存在實際的接地端,而是定義 0 V 點的公共電路點)。


圖 1:在低壓側(cè)配置中,驅(qū)動器和開關(guān)位于負(fù)載和電路接地端/公共端之間。(圖片來源:Infineon Technologies AG)

在互補(bǔ)的高壓側(cè)配置中,開關(guān)直接連接到電源軌,而負(fù)載則位于開關(guān)和接地端/公共端之間(圖 2)。


圖 2:高壓側(cè)配置翻轉(zhuǎn)了開關(guān)相對于負(fù)載和電源軌的位置。(圖片來源:Infineon Technologies AG)

另一種廣泛使用的拓?fù)涫歉邏簜?cè)/低壓側(cè)配對,用于驅(qū)動橋式配置中連接的兩個開關(guān)(圖 3)。


圖 3:在高壓側(cè)/低壓側(cè)的組合配對中,交替驅(qū)動兩個開關(guān),負(fù)載位于兩個開關(guān)之間。(圖片來源:Infineon Technologies AG)

隔離怎么辦?

高壓側(cè)/低壓側(cè)配置需要增加兩個電路功能,如圖 4 所示:

· “浮動”(非以地為基準(zhǔn))高壓側(cè)電源,為與該浮動中間點電位關(guān)聯(lián)的任何電路供電
· 電平位移器,將控制信號傳遞給“浮動”驅(qū)動器電路


圖 4:高壓側(cè)/低壓側(cè)配置還需要為高壓側(cè)提供浮動電源,并為控制信號提供電平位移器。(圖片來源:Talema Group)

上方的(高壓側(cè))驅(qū)動器和開關(guān)器件是“浮動”的,沒有接地基準(zhǔn),這就導(dǎo)致了很多柵極驅(qū)動器/功率開關(guān)配置提出另一個要求:驅(qū)動器功能和被驅(qū)動開關(guān)之間需要電氣(歐姆)隔離。

隔離意味著隔離柵兩側(cè)之間沒有讓電流通過的電氣通路,但信號信息仍必須通過隔離柵傳輸。這種隔離可使用光耦合器、變壓器電容器來實現(xiàn)。

系統(tǒng)中的各個功能電路之間的電氣隔離可防止它們之間形成直接傳導(dǎo)路徑,使得各個電路擁有不同的接地電位。隔離柵必須能夠耐受全軌電壓(加上安全裕量),電壓范圍從幾十伏到幾千伏不等。根據(jù)設(shè)計,大多數(shù)隔離器都能輕松滿足幾千伏以上的要求。

高壓側(cè)的柵極驅(qū)動器可能需要隔離,以確保正確運行,這取決于具體的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),而用于電源逆變器和轉(zhuǎn)換器的柵極驅(qū)動電路通常需要電氣隔離,旨在確保安全,這與其“接地”狀態(tài)無關(guān)。監(jiān)管和安全認(rèn)證機(jī)構(gòu)強(qiáng)制要求進(jìn)行隔離,以確保高壓電無法觸及用戶,從而防止電擊危險。隔離還能保護(hù)低壓電子設(shè)備,避免因高壓電路故障和控制端人為錯誤而造成損壞。

許多功率器件配置都需要一個隔離的柵極驅(qū)動電路。例如,在半橋、全橋、降壓、雙開關(guān)正激、有源箝位正激等電源轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中,都有高壓側(cè)和低壓側(cè)開關(guān),因為低壓側(cè)驅(qū)動器不能直接用于驅(qū)動上方的功率器件。

上方的功率器件需要隔離的柵極驅(qū)動器和“浮動”信號,因為它們與接地電位沒有連接;如果有連接,它們就會使互補(bǔ)驅(qū)動器和功率開關(guān)短路。由于這一要求,并得益于技術(shù)進(jìn)步,柵極驅(qū)動器也集成了隔離功能,因而不再需要單獨的隔離器件。這反過來又簡化了高壓側(cè)布局,同時更容易滿足監(jiān)管要求。

微調(diào)驅(qū)動器與功率器件的關(guān)系

柵極驅(qū)動器 IC 需要支持 SiC MOSFET 的高開關(guān)速度,其壓擺率可達(dá) 50 kV/µs 甚至更高,開關(guān)速度超過 100 kHz。硅器件導(dǎo)通時電壓通常為 12 V,關(guān)閉時電壓為 0 V。

與硅器件不同,SiC MOSFET 通常需要 +15 至 +20 V 的電壓來導(dǎo)通,需要 -5 至 0 V 的電壓來關(guān)閉。因此,它們可能需要一個具有雙輸入的驅(qū)動器 IC,一個用于導(dǎo)通電壓,一個用于關(guān)閉電壓。只有在推薦的 18 至 20 V 柵源電壓 (Vgs) 驅(qū)動下,SiC MOSFET 才會表現(xiàn)出低導(dǎo)通電阻,這個值遠(yuǎn)高于驅(qū)動 Si MOSFET 或 IGBT 所需的 10 至 15 V 的 Vgs 值。

Si 和 SiC 的另一個區(qū)別是,SiC 器件的“續(xù)流”本征體二極管的反向恢復(fù)電荷 (Qrr) 非常低。它們需要高電流柵極驅(qū)動,才能快速提供所需的總柵極電荷 (Qg)。

在柵極驅(qū)動器和功率器件柵極之間建立適當(dāng)?shù)年P(guān)系至關(guān)重要。其中一個關(guān)鍵步驟是確定驅(qū)動器和功率器件之間外部柵極電阻器的最佳值,表示為 RG,ext(圖 5)。功率器件內(nèi)部還有一個內(nèi)部柵極電阻,表示為 RG,int,與外部電阻器串聯(lián),但用戶無法控制這個值,盡管它仍然非常重要。


圖 5:必須確定驅(qū)動器與功率器件之間外部柵極電阻器的適當(dāng)電阻值,以優(yōu)化這對器件的性能,這一點至關(guān)重要。(圖片來源:Infineon Technologies AG)

確定此電阻值是一個四步過程,通常需要反復(fù)進(jìn)行,因為在分析和建模之后,必須“在試驗臺上”對這對器件某些方面的性能進(jìn)行評估。簡而言之,一般程序是:

步驟 1:根據(jù)規(guī)格書中的數(shù)值,確定峰值電流 (Ig),并選擇合適的柵極驅(qū)動器。

步驟 2:根據(jù)應(yīng)用的柵極電壓擺幅,計算外部柵極電阻器的電阻值 (RG,ext)。

步驟 3:計算柵極驅(qū)動器 IC 和外部柵極電阻器的預(yù)期功率耗散 (PD)。

步驟 4:在試驗臺上驗證計算結(jié)果,確定驅(qū)動器功率是否足以驅(qū)動晶體管,功率耗散是否在允許范圍內(nèi):

a 驗證在最壞情況下,是否會出現(xiàn)由 dv/dt 瞬變觸發(fā)的寄生性導(dǎo)通事件。
b 測量柵極驅(qū)動器 IC 在穩(wěn)態(tài)運行期間的溫度。
c 計算電阻器的峰值功率,并與其單脈沖額定值進(jìn)行核對。

這些測量將確定相關(guān)假設(shè)和計算是否會導(dǎo)致 SiC MOSFET 的安全開關(guān)行為(無振蕩、定時正確)。如果不是,設(shè)計人員必須重復(fù)步驟 1 至 4,并調(diào)整外部柵極電阻器的電阻值。

與幾乎所有的工程設(shè)計決策一樣,在選擇元器件值時,需要權(quán)衡多個性能因素。例如,如果出現(xiàn)振蕩,改變柵極電阻器的電阻值可能會解決問題。增加其值會降低 dv/dt 的壓擺率,因為晶體管的速度會減慢。電阻值越低,SiC 器件的開關(guān)速度越快,dv/dt 瞬變值越高。

圖 6 顯示了增大或減小外部柵極電阻器的電阻值對關(guān)鍵柵極驅(qū)動器性能因素的更廣泛影響。


圖 6:增大或減小外部柵極電阻器的電阻值會影響許多性能屬性,因此設(shè)計人員必須進(jìn)行權(quán)衡。(圖片來源:Infineon Technologies AG)

無需折衷

雖然折衷是系統(tǒng)設(shè)計的一部分,但合適的元器件可以大幅減少折衷。例如,Infineon 的 EiceDRIVER 柵極驅(qū)動器 IC 具有高能效、抗噪性和穩(wěn)健性。此外,它們還具備多種特性,例如快速短路保護(hù)、去飽和 (DESAT) 故障檢測和保護(hù)、有源米勒鉗位、壓擺率控制、擊穿保護(hù),以及故障、關(guān)機(jī)和過流保護(hù),并且具備 I2C 數(shù)字配置功能,使用非常簡單。

這些驅(qū)動器非常適合硅和寬帶隙功率器件。范圍從低功率、低電壓、非隔離低壓側(cè)驅(qū)動器到隔離千伏/千瓦 (kV/kW) 器件。此外,還有雙通道和多通道驅(qū)動器,在某些情況下,它們也是不錯的選擇。

25 V 低壓側(cè)柵極驅(qū)動器

在這一系列器件中,1ED44176N01FXUMA1 是一款采用 DS-O8 封裝的 25 V 低壓側(cè)柵極驅(qū)動器(圖 7)。這款低壓功率 MOSFET 和 IGBT 非反相柵極驅(qū)動器采用專有的防閂鎖 CMOS 技術(shù),實現(xiàn)了堅固耐用的單片結(jié)構(gòu)。邏輯輸入可兼容標(biāo)準(zhǔn)的 3.3 V、5 V 和 15 V CMOS 或 LSTTL 輸出,包括施密特觸發(fā)輸入,可最大限度地減少假信號跳閘,而輸出驅(qū)動器則帶有電流緩沖級。它可在高達(dá) 50 kHz 的頻率下驅(qū)動 50 A/650 V 的設(shè)備,主要面向交流線路供電的家用電器和基礎(chǔ)設(shè)施,如熱泵。


圖 7:1ED44176N01FXUMA1 是一款采用 DS-08 封裝的微型柵極驅(qū)動器,適用于低電壓/低功率應(yīng)用,采用專有的防閂鎖 CMOS 技術(shù)。(圖片來源:Infineon Technologies AG)

1ED44176N01FXUMA1 的主要技術(shù)規(guī)格包括:在 0 V 電壓下的典型短路脈沖輸出拉電流(<10 µsec 脈沖)為 0.8 A,在 15 V 電壓下的短路脈沖輸出灌電流為 1.75 A。關(guān)鍵動態(tài)規(guī)格包括:導(dǎo)通和關(guān)閉時間為 50 ns(典型值)/95 ns(最大值),導(dǎo)通上升時間為 50 ns(典型值)/80 ns(最大值),關(guān)閉下降時間為 25 ns(典型值)/35 ns(最大值)。

1ED44176N01F 的連接相對簡單,一個引腳用于過流保護(hù) (OCP) 感測,一個引腳用于故障狀態(tài)輸出(圖 8)。還有一個專用引腳用于對故障清除時間編程。EN/FLT 引腳需要上拉才能正常工作,拉低則會禁用驅(qū)動器。VCC 引腳上的內(nèi)部電路提供欠壓鎖定保護(hù),將輸出保持在低電平,直至 VCC 電源電壓恢復(fù)到所需的工作范圍內(nèi)。獨立的邏輯接地和電源接地增強(qiáng)了抗噪能力。


圖 8:1ED44176N01F 柵極驅(qū)動器只有 8 個引腳,與處理器和功率器件的連接相對容易。(圖片來源:Infineon Technologies AG)

雖然連接相對簡單,但該柵極驅(qū)動器和相關(guān)功率器件的用戶能夠受益于 EVAL1ED44176N01FTOBO1 評估板(圖 9)。使用該評估板,設(shè)計人員可以選擇和評估電流檢測分流電阻器 (RCS)、用于 OCP 和短路保護(hù)的電阻器和電容器 (RC) 濾波器,以及故障清除時間電容器。


圖 9:使用 EVAL1ED44176N01FTOBO1 評估板,設(shè)計人員可以通過關(guān)聯(lián)開關(guān)器件,設(shè)置和測量關(guān)鍵柵極驅(qū)動器工作點。(圖片來源:Infineon Technologies AG)

高壓 SiC MOSFET 柵極驅(qū)動器

1EDI3031ASXUMA1 是一款隔離式單通道 12 A SiC MOSFET 柵極驅(qū)動器,額定隔離電壓為 5700 VRMS,其電壓水平遠(yuǎn)高于交流線路家用電器柵極驅(qū)動器及其功率器件(圖 10)。這款驅(qū)動器是專為 5 kW 以上的汽車電機(jī)驅(qū)動器設(shè)計的高壓器件,支持 400、600 和 1200 V 的 SiC MOSFET。


圖 10:EDI3031AS 是一款隔離式單通道 12 A SiC MOSFET 柵極,專為 5 kW 以上的汽車電機(jī)驅(qū)動而設(shè)計。(圖片來源:Infineon Technologies AG)

該器件采用 Infineon 的無鐵芯變壓器 (CT) 技術(shù)來實現(xiàn)電氣隔離(圖 11)。


圖 11:專有的無鐵芯變壓器用于提供電氣隔離,左圖顯示了這種變壓器,右圖顯示了它的構(gòu)造。(圖片來源:Infineon Technologies AG)

這種技術(shù)有幾個特點。它允許 ±2300 V 甚至更大的電壓擺幅,具有抗負(fù)瞬變和正瞬變的能力,而且功率損耗低。此外,它的信號傳輸極為穩(wěn)定,不受共模噪聲影響,支持高達(dá) 300 V/ns 的共模瞬變抗擾度 (CMTI)。此外,其嚴(yán)格的傳播延遲匹配提供了容差和穩(wěn)健性,不會由于老化、電流和溫度而產(chǎn)生變化。

1EDI3031ASXUMA1 驅(qū)動器支持高達(dá) 1200 V 的 SiC MOSFET,提供軌至軌輸出,峰值電流為 12 A,典型傳播延遲為 60 ns。它在 1000 V 電壓下的 CMTI 高達(dá) 150 V/ns,其 10 A 集成有源米勒鉗位支持單極開關(guān)。

該驅(qū)動器主要面向電動汽車 (EV) 和混合動力電動汽車 (HEV) 的牽引逆變器,以及這兩種汽車的輔助逆變器。出于這個原因,它集成了多項安全功能,達(dá)到 ASIL B(D) 等級,并通過了 AEC-Q100 產(chǎn)品認(rèn)證。這些功能包括冗余 DESAT 和 OCP、柵極和輸出級監(jiān)控、擊穿保護(hù)、主電源和副電源監(jiān)控,以及內(nèi)部監(jiān)控。8 kV 基本絕緣符合 VDE V 0884-11:2017-01 標(biāo)準(zhǔn),并獲得 UL 1577 認(rèn)證。

1EDI3031ASXUMA1 驅(qū)動器的功率水平符合汽車要求,因此它遠(yuǎn)非一個功能強(qiáng)大但“啞”額設(shè)備。除了所有安全功能外,它還實現(xiàn)了一個狀態(tài)圖,以確保功能正常(圖 12)。該器件的“侵入式”診斷功能能夠在發(fā)生系統(tǒng)故障時進(jìn)入“安全狀態(tài)”。


圖 12:1EDI3031ASXUMA1 柵極驅(qū)動器工作模式的狀態(tài)圖清晰地顯示了其復(fù)雜性和完整性自檢功能。(圖片來源:Infineon Technologies AG)

采用 1EDI3031ASXUMA1 的設(shè)計人員可以通過 EDI302xAS/1EDI303xAS EiceDRIVER 柵極驅(qū)動器系列的 1EDI30XXASEVALBOARDTOBO1 評估板來快速入門(圖 13)。


圖 13:使用 EDI302xAS/1EDI303xAS EiceDRIVER 柵極驅(qū)動器系列的 1EDI30XXASEVALBOARDTOBO1 評估板,設(shè)計人員可以評估這款高功率驅(qū)動器和相關(guān)功率器件。(圖片來源:Infineon Technologies AG)

這款多功能評估平臺采用半橋配置,如圖 14 所示。其可以安裝 HybridPACK DSC IGBT 模塊或分立式 PG-TO247-3 功率器件。


圖 14:1EDI30XXASEVALBOARDTOBO1 評估板采用隔離式半橋配置,可與模塊或分立式器件配合使用。(圖片來源:Infineon Technologies AG)

該評估板的詳細(xì)規(guī)格書包括原理圖、物料清單、各個連接的詳細(xì)連接方式和位置、配置細(xì)節(jié)、操作順序、LED 指示燈標(biāo)志等信息。

總結(jié)

柵極驅(qū)動器是低電平、低功率數(shù)字處理器輸出與 Si 或 SiC MOSFET 等功率器件柵極的高電平、高功率、高電流要求之間的關(guān)鍵接口。根據(jù)功率器件的特性和要求正確匹配驅(qū)動器,對于逆變器、電機(jī)驅(qū)動器、照明控制器等電力系統(tǒng)的開關(guān)電路的成功可靠運行至關(guān)重要。正如本文所述,依托多種先進(jìn)專有技術(shù)并由評估板和工具包提供支持的驅(qū)動器系列可以幫助設(shè)計人員確保最佳匹配。
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