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富士通FRAM是新一代非易失性存儲器，其性能優于E2PROM和閃存等現有存儲器，功耗更低，提供更高的速度和耐多次讀寫操作。FRAM是非易失性的，但在RAM等其他方面運行。這種突破性的存儲介質用于各種應用，包括智能卡、RFID、安全和許多其他需要高性能非易失性存儲器的應用。本篇文章代理商英尚微電子介紹富士通串行FRAM存儲器64K MB85RS64。 ■描述 MB85RS64是一款8,192字×8位配置的FRAM（鐵電存儲器）芯片，采用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術形成非易失性存儲單元。MB85RS64采用串行外設接口（SPI）。MB85RS64能夠在不使用備用電池的情況下保留數據，這是SRAM所需要的。 MB85RS64采用的存儲單元可進行1010次讀寫操作，相比Flash存儲器和E2PROM支持的讀寫操作次數有顯著提升。MB85RS64不像閃存和E2PROM那樣需要很長時間來寫入數據，并且MB85RS64不需要等待時間。 ■特點 •位配置：8,192字×8位 •Serial Peripheral Interface:SPI對應SPI模式0(0,0)和模式3(1,1) •工作頻率：20MHz（最大） •高耐用性：100億次讀/寫 •數據保留：10年(+85℃) •工作電源電壓：2.7V至3.6V •低功耗:工作電源電流1.5(TBD)mA(Typ@20MHz)待機電流10μA(TBD)(Typ) •工作環境溫度范圍：-40℃至+85℃ •封裝：8針塑料SOP(FPT-8P-M02)符合RoHS 引腳分配 獨立FRAM提供了將 FRAM 同化到任何需要高速非易失性存儲器的系統的靈活性。 FRAM不需要電池來備份其數據，從而在整個系統中節省了大量成本和電路板空間。它可以用于存儲設備的設置、配置、狀態，并且數據可以在以后使用。這些存儲的數據可用于重置設備、分析上次狀態和激活恢復操作。逐字節隨機訪問使內存管理更有效。 FRAM只是一種像ram一樣運行的高速非易失性存儲器。這允許程序員根據需要靈活地分配ROM和RAM 存儲器映射。它為最終用戶創造了在底層對FRAM進行編程以根據他們的個人進行定制的機會. |
