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Everspin成立于2006年，是從飛思卡爾分離出來的一家半導體科技公司，以領導非易失性MRAM存儲芯片為公司主導致力于非易失性存儲芯片的發展，是全球唯一一家專業生產銷售磁性隨機存取內存(MRAM)，目前該產品已經應用于多個行業，如人工智能，金融數據等。 Everspin一款串口mram芯片，型號為MR25H10CDF，工作溫度范圍：-40℃to+85℃，是一款工業級別的存儲芯片，可用于工控設備的應用，特別是對溫度有嚴格要求的應用，存儲容量1Mb（128Kx8），數據位寬8位。 MR25H10CDF提供串行EEPROM和串行閃存兼容的讀/寫定時，沒有寫入延遲和無限讀/寫耐久性。與其他串行存儲器不同，讀取和寫入都可以在內存中隨機發生，寫入之間沒有延遲。MR25H10是用于使用少量I/O引腳快速存儲和檢索數據和程序的應用的理想內存解決方案。封裝采用5mmx6mm Small Flag 8-DFN提供。兩與串行EEPROM，FLASH和FERAM產品兼容。 MR25H10CDF在各種溫度范圍內提供高度可靠的數據存儲。該產品提供工業（-40℃至+85℃）和AEC-Q100級（-40℃至+125℃）的工作溫度范圍選項。 MR25H10CDF特點 •沒有寫延遲 •無限制寫耐力 •數據保留超過20年 •電源損耗的自動數據保護 •塊寫保護 •快速，簡單的SPI接口，最高速度為40MHz時鐘速率 •2.7至3.6伏電源范圍 •低電流睡眠模式 •工業溫度 •提供Small Flag 8-DFN RoHS兼容封裝 •直接更換串行EEPROM，Flash，Feram •AEC-Q100等級1選項 MRAM是一種利用電子自旋來存儲信息的存儲技術。everspin MRAM 具有成為通用存儲器的潛力,能夠將存儲器的密度與 SRAM 的速度相結合，同時具有非易失性和節能性。MRAM 可以抵抗高輻射，可以在極端溫度條件下運行，并且可以防篡改。這使得 MRAM 適用于汽車、工業、軍事和太空應用。 MR25H10CDF 規格書下載 
MR25H10.pdf
(2.02 MB)
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