|
MRAM是一種非易失性存儲技術，可以在不需要電源的情況下將其內容保留至少10年。它適用于在系統崩潰期間需要保存數據的商業應用�；贛RAM的設備可以為“黑匣子”應用提供解決方案，因為它以SRAM的速度寫入數據，同時在發生總功耗之前保留數據。Everspin串行mram是必須使用最少數量的引腳快速存儲和檢索數據和程序的應用的理想存儲器。 Everspin型號MR25H256CDF是一種串行MRAM，其存儲器陣列邏輯組織為32Kx8，使用串行外圍接口的片選(CS)、串行輸入(SI)、串行輸出(SO)和串行時鐘(SCK)四個引腳接口(SPI)總線。串行MRAM實現了當今SPI EEPROM和閃存組件通用的命令子集，允許MRAM替換同一插槽中的這些組件并在共享SPI總線上進行互操作。與可用的串行存儲器替代品相比，串行MRAM提供卓越的寫入速度、無限的耐用性、低待機和操作功率以及更可靠的數據保留。 MR25H256CDF特征 •無寫入延遲 •無限寫入耐久性 •數據保留超過20年 •斷電時自動數據保護 •塊寫保護 •快速、簡單的SPI接口，時鐘速率高達40兆赫茲 •2.7至3.6伏電源范圍 •低電流睡眠模式 •工業和汽車1級和3級溫度 •提供8-DFN Small Flag RoHS兼容封裝。 •直接替代串行EEPROM、閃存、FeRAM •工業級和AEC-Q1001級和3級選項 •濕度敏感度MSL-3 Everspin是專業設計和制造MRAM和STT-MRAM的翹楚，其市場和應用領域涉及數據持久性和完整性，低延遲和安全性至關重要。Everspin在數據中心，云存儲，能源，工業，汽車和運輸市場中部署了超過1.2億個MRAM和STT-MRAM產品，為MRAM用戶奠定了強大的基礎。Everspin一級代理英尚微電子可為用戶提供驅動和例程等技術方面支持。 更多詳情點擊該鏈接：https://www.sramsun.com/list-180-1.html MR25H256CDF規格書下載 
MR25H256-MR25H256A.pdf
(1.64 MB)
|
