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東芝推出采用TOLL封裝的650V超級結功率MOSFET,有助于提高大電流設備的效率

發布時間:2021-3-12 15:29    發布者:eechina
關鍵詞: 650V , 超級結 , 功率MOSFET
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,在其TOLL(TO-無引線)封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級結功率MOSFET---TK065U65Z、TK090U65Z、TK110U65Z、TK155U65Z和TK190U65Z,今日開始批量出貨。



TOLL是一種表面貼裝型封裝,所需空間比常見的D2PAK封裝小27%。它也屬于4引腳型封裝,能夠對柵極驅動的信號源端子進行開爾文連接,從而減小封裝中源極線的電感,進而發揮MOSFET實現高速開關性能,抑制開關時產生的振蕩。與東芝現有產品TK090N65Z[1]相比,其導通開關損耗降低了約68%,關斷切換損耗降低了約56%[2][3]。新型MOSFET適用于數據中心和光伏功率調節器等工業設備的電源。

TOLL封裝與最新[4]DTMOSVI工藝技術相結合擴展了產品陣容,覆蓋了低至65mΩ(最大值)的低導通電阻[5]。東芝將繼續采用TOLL封裝工藝對產品進行改進,以減小設備尺寸并提高效率。

        應用
數據中心(服務器電源等)
光伏發電機的功率調節器
不間斷電源系統

        特性
薄而小的表面貼裝封裝
采用4引腳封裝,可以減少導通和關斷的開關損耗。
最新[4]的DTMOSVI系列

        主要規格
器件型號
TK065U65ZTK090U65ZTK110U65ZTK155U65ZTK190U65Z
封裝名稱
TOLL
尺寸典型值
9.9×11.68,厚度=2.3
(mm)
絕對最大額定值漏源電壓
650
VDSS(V)
漏極電流3830241815
(DC)
ID(A)
漏源導通電阻
0.0650.090.110.1550.19
RDS(ON)最大值(Ω)
@VGS=10V
柵極電荷總量
6247402925
Qg典型值(nC)
柵漏電荷
17121187.1
Qgd典型值(nC)
輸入電容
36502780225016351370
Ciss典型值(pF)
結殼熱阻
0.4620.5430.6570.8330.961
Rth(ch-c)最大值(℃/W)
常規系列(DTMOSIV)
---TK20G60W[6]TK16G60W[6]
器件型號
庫存查詢與購買
在線購買在線購買在線購買在線購買在線購買
注:
[1] 具有等效電壓和導通電阻的DTMOSVI系列產品均采用無開爾文連接的TO-247封裝工藝
[2] 截至2021年3月10日,東芝測得的數值(測試條件:VDD=400V,VGG=+10V/0V,ID=15A,Rg=10Ω,Ta=25℃)。
[3] 僅限TK090U65Z
[4] 截至2021年3月10日
[5] 僅限TK065U65Z
[6] VDSS=600V,D2PAK封裝

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