佳能將在2021年4月上旬發(fā)售面向后道工序的半導(dǎo)體光刻機新產(chǎn)品——i線步進式光刻機 “FPA-5520iV LF Option”。該產(chǎn)品實現(xiàn)了面向先進封裝3的52×68mm大視場曝光，解析度達1.5μm。
FPA-5520iV LF Option 為了提高半導(dǎo)體芯片的性能，不僅在半導(dǎo)體制造的前道工序中實現(xiàn)電路的微細化十分重要，在后道工序中的高密度封裝也備受矚目。為實現(xiàn)高性能的先進封裝，需要精細的重布線，近年來已經(jīng)開始使用半導(dǎo)體光刻機進行重布線工藝。新產(chǎn)品繼承了可應(yīng)對先進封裝的舊機型“FPA-5520iV”（2016年7月發(fā)售）的基本性能，同時實現(xiàn)了大視場下電路圖形的曝光，可滿足異構(gòu)封裝等多種先進封裝技術(shù)的需求。 ■ 通過搭載新投影光學(xué)系統(tǒng)實現(xiàn)大視場的一次曝光 通過搭載新投影光學(xué)系統(tǒng)，新產(chǎn)品可以一次曝光52×68mm的大視場，達到了前道工序中光刻機標(biāo)準(zhǔn)視場26×33mm的4倍以上。通過大視場曝光，實現(xiàn)了連接多個大型半導(dǎo)體芯片的異構(gòu)封裝。此外，該產(chǎn)品具有1.5μm的高解析度，可以曝光出精細的重布線圖案，從而可應(yīng)對多種先進封裝工藝。另外，在使用高解析度選項的情況下，可以實現(xiàn)以1.0μm的高解析度曝光重布線圖案。 ■ 繼承“FPA-5520iV”的基本性能 新產(chǎn)品繼承了“FPA-5520iV”受到廣泛好評的基本性能。通過這些共通的基本性能，可以實現(xiàn)封裝工藝量產(chǎn)課題中的再構(gòu)成基板變形問題的靈活應(yīng)對，還可以在芯片排列偏差較大的再構(gòu)成基板上檢測出對準(zhǔn)標(biāo)記，從而提高生產(chǎn)效率，實現(xiàn)高生產(chǎn)性等優(yōu)勢。 |
