佳能將在2021年4月上旬發售面向后道工序的半導體光刻機新產品——i線步進式光刻機 “FPA-5520iV LF Option”。該產品實現了面向先進封裝3的52×68mm大視場曝光，解析度達1.5μm。
FPA-5520iV LF Option 為了提高半導體芯片的性能，不僅在半導體制造的前道工序中實現電路的微細化十分重要，在后道工序中的高密度封裝也備受矚目。為實現高性能的先進封裝，需要精細的重布線，近年來已經開始使用半導體光刻機進行重布線工藝。新產品繼承了可應對先進封裝的舊機型“FPA-5520iV”（2016年7月發售）的基本性能，同時實現了大視場下電路圖形的曝光，可滿足異構封裝等多種先進封裝技術的需求。 ■ 通過搭載新投影光學系統實現大視場的一次曝光 通過搭載新投影光學系統，新產品可以一次曝光52×68mm的大視場，達到了前道工序中光刻機標準視場26×33mm的4倍以上。通過大視場曝光，實現了連接多個大型半導體芯片的異構封裝。此外，該產品具有1.5μm的高解析度，可以曝光出精細的重布線圖案，從而可應對多種先進封裝工藝。另外，在使用高解析度選項的情況下，可以實現以1.0μm的高解析度曝光重布線圖案。 ■ 繼承“FPA-5520iV”的基本性能 新產品繼承了“FPA-5520iV”受到廣泛好評的基本性能。通過這些共通的基本性能，可以實現封裝工藝量產課題中的再構成基板變形問題的靈活應對，還可以在芯片排列偏差較大的再構成基板上檢測出對準標記，從而提高生產效率，實現高生產性等優勢。 |
