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6大半導體公司加入3DIC芯片堆疊技術項目

發布時間:2011-5-3 11:19    發布者:1046235000
包括ASE(AdvancedSemiconductorEngineering),AlteraADI(AnalogDevices),LSI,安森美以及高通公司在內的6家半導體公司現已加入了3DIC芯片堆疊技術啟動項目,該消息是由美國半導體制造技術聯盟(Sematech)于日前所公布。
  去年Sematech宣布建成了首個300mm規格3DIC試產產線,該產線建在紐約州立大學納米科學與工程學院下屬的奧爾巴尼納米技術研究中心(CNSE)內,而Sematech的3DIC芯片堆疊技術研究則是以該研究中心為核心展開的。在此之前,除了CNSE之外,已經有GlobalFoundries,惠普,Hynix,IBM,Intel,三星以及聯電幾家公司加入了這個研究項目。
  2010年12月份,Sematech聯合半導體協會(SIA)以及半導體研究協會(SRC)一起啟動了一項新的3DIC芯片堆疊技術啟動項目,該項目成立的目的是促進3DIC技術的標準化和對異構型3DIC整合技術進行研究。項目的首要目標是確立出一套與3DIC關鍵技術如量檢測技術,芯片鍵合技術,微凸焊點(microbumping)等有關的技術和規格標準。
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