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飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布收購碳化硅 (Silicon Carbide; SiC) 功率晶體管企業TranSiC公司，擴展其領先的技術能力。 這項收購為飛兆半導體帶來獲經驗證效率的業界領先雙極SiC晶體管技術、寬溫度范圍下的出色表現，以及超越MOSFET和JFET技術的卓越性能。飛兆半導體同時借著這項收購獲取經驗豐富的SiC工程師團隊和科學家團隊，以及多項SiC技術專利。 飛兆半導體公司主席、總裁兼首席執行官Mark Thompson稱：“通過綜合SiC技術和飛兆半導體現有的MOSFET、IGBT和多芯片模塊方面的能力，以及位于全球的客戶據點，我們擁有足夠實力，繼續擔當創新性、高性能功率晶體管技術的領導廠商。” 飛兆半導體首席技術官Dan Kinzer稱：“SiC技術的高性能水平可以大大提高功率轉換效率。它還提供了更高的轉換速度，可以實現更小的終端系統外形尺寸。碳化硅技術在市場已有一定地位，特別在寬帶隙領域擁有強大優勢，適合需要600V以上電壓的應用，并展示了出色的穩健性和可靠性。” SiC技術超越其它技術的優勢包括： • 在特定的芯片尺寸下具有較低的導通狀態電壓降 • 較高的電流密度 • 較高的工作溫度 • 極低的熱阻抗 • 僅有多數載流子傳導，具有超快的開關速度 • 采用電流增益范圍為100的通常關斷運作(off operation)方式，提供簡便的驅動解決方案 • 由于采用正溫度系數電阻組件，可以方便地并聯 另外，這類器件的阻抗非常接近SiC技術的理論極限，并且成功地在25ns的導通和關斷時間范圍內演示了800V下的50A開關運作。這些器件在長期的全額定偏流和電流應力狀況下具有參數穩定性。 這些高增益SiC雙極器件適合向下鉆探、太陽能逆變器、風能逆變器、電氣和混合動力汽車、工業驅動、UPS和輕軌牽引應用中的大功率轉換應用。市場研究機構Yole Development預計這些市場將于2020年達到接近10億美元的規模。 這款器件具有業界領先的效率，可將成熟的硅技術器件的相關損耗削減多達50%，或在相同的損耗條件下，將頻率提高多達四倍。SiC器件具有顯著減小的體積、較少的無源元件，能夠降低總體系統成本和提升價值。對于需要最高效率和功率密度的系統，該器件是無可比擬的首選產品。 飛兆半導體正在提供針對目標應用的最高50A額定電流的1200V初始產品的樣品，并將于未來開發具有更寬電壓和電流范圍的產品，繼續推動節能工作。 |
