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FRAM架構(gòu)采用鐵電材料作為存儲(chǔ)器件，這些材料具有一個(gè)固有的電偶極子，該偶極子在外部電場(chǎng)的作用下轉(zhuǎn)換為相反的極性。 FRAM中的讀取操作具有破壞性，因?yàn)樗枰袚Q極化狀態(tài)才能感知其狀態(tài)。在初次讀取后，讀取操作必須將極化恢復(fù)到其原始狀態(tài)，這會(huì)增加讀取操作的周期時(shí)間。寫周期需要一個(gè)初始的“預(yù)充電”時(shí)間，這可能會(huì)增加初始訪問(wèn)時(shí)間。環(huán)境溫度高于85°C，由于自由電荷的積累導(dǎo)致FRAM磨損，從而導(dǎo)致影響10年的數(shù)據(jù)保留。 Everspin MRAM將提供最具成本效益的非易失性RAM解決方案。MRAM使用更簡(jiǎn)單的1晶體管，1磁性隧道結(jié)單元構(gòu)建。簡(jiǎn)單的Everspin MRAM單元可提高制造效率并提高可靠性.MRAM使用磁隧道結(jié)技術(shù)進(jìn)行非易失性存儲(chǔ)。高溫下數(shù)據(jù)不會(huì)泄漏，并且沒(méi)有磨損機(jī)制來(lái)限制讀，寫的次數(shù)撥動(dòng)式MRAM可靠性的另一個(gè)重要方面是保持?jǐn)?shù)據(jù)免受熱磁化翻轉(zhuǎn)引起的錯(cuò)誤的影響。進(jìn)行了加速烘烤測(cè)試，在150°C下的2000 h至260°C下的2h的條件下烘烤了三批中的1500個(gè)代表性4-Mb零件，并且所有零件的數(shù)據(jù)保留翻轉(zhuǎn)均為零。外推回工作溫度表明數(shù)據(jù)保留壽命超過(guò)20年。由于磁性材料固有的堅(jiān)固耐用性，MRAM還具有抗輻射性能。 Everspin Technologies的SPI MRAM在磁場(chǎng)環(huán)境中操作時(shí)對(duì)數(shù)據(jù)損壞的敏感性較低，因此可以幫助工程師設(shè)計(jì)高抗磁能力的可靠系統(tǒng)。最大情況。可用于SPI MRAM的外部磁場(chǎng)為12000 A / m（150高斯），在寫，讀和待機(jī)操作期間。 Everspin Technologies提供了有關(guān)如何在其中操作MRAM的具體指南。 |
| FRAM中的讀取操作具有破壞性，因?yàn)樗枰袚Q極化狀態(tài)才能感知其狀態(tài)。在初次讀取后，讀取操作必須將極化恢復(fù)到其原始狀態(tài)，這會(huì)增加讀取操作的周期時(shí)間。 |
| 簡(jiǎn)單的Everspin MRAM單元可提高制造效率并提高可靠性.MRAM使用磁隧道結(jié)技術(shù)進(jìn)行非易失性存儲(chǔ)。高溫下數(shù)據(jù)不會(huì)泄漏，并且沒(méi)有磨損機(jī)制來(lái)限制讀，寫的次數(shù)撥動(dòng)式MRAM可靠性的另一個(gè)重要方面是保持?jǐn)?shù)據(jù)免受熱磁化翻轉(zhuǎn)引起的錯(cuò)誤的影響。 |
