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磁阻RAM（MRAM）是一種非易失性存儲技術，可以在不需要電源的情況下將其內容保留至少10年。它適用于在系統崩潰期間需要保存數據的商業應用。基于MRAM的設備可以為“黑匣子”應用提供解決方案，因為它以SRAM的速度寫入數據，同時在發生總功耗之前保留數據。 MRAM還適用于具有簡歷播放功能的娛樂應用程序。掉電期間，指示播放媒體時間戳的書簽會快速存儲在非易失性MRAM中。然后幾乎立即進行后續播放并繼續播放（下圖1）。 圖1：掉電期間，書簽存儲在MRAM中，以允許媒體繼續播放應用程序 通過管理加密，安全系統也可以從MRAM中受益。加密參數可以快速存儲并在系統關閉期間保留。對于在斷電期間需要快速數據參數存儲和數據完整性的游戲機也是如此。 Everspin MR2A16A提供了SRAM兼容的35 ns讀/寫定時信號，具有無限的耐久性。數據始終會保持20年以上的非易失性。低壓禁止電路可自動在斷電時保護數據，防止電壓超出規格的寫入。對于必須快速永久存儲和檢索關鍵數據和程序的應用，MR2A16A是理想的存儲器解決方案。 MR2A16A采用小尺寸的48引腳球柵陣列（BGA）封裝和44引腳薄型小型外形封裝（TSOP Type 2）。這些封裝與類似的低功耗SRAM芯片產品和其他非易失性RAM產品兼容。MR2A16A在廣泛的溫度范圍內提供高度可靠的數據存儲。該產品提供商用（0至+70°C），工業（-40至+85°C），擴展（-40至+105°C）和AEC-Q100 1級（-40至+125°C） C）工作溫度范圍選項。Everspin代理英尚微提供專業應用解決方案等技術支持。 
MR2A16A.pdf
(1.37 MB)
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