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與第一代和第二代相比，第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率、更大的電子飽和度以及更高的抗輻射能力，更適合制造耐高溫、高壓的大功率及高頻器件，目前公認最具代表性的是SiC和GaN材料。 特斯拉Model 3逆變器采用意法半導體的全SiC功率模塊，之后，越來越多的車企都計劃在主逆變器上應用SiC器件。2019年SiC器件市場約為5億美元，預計市場年均增速將高達40%，目前主要由英飛凌、意法、羅姆等國外廠商占據。國內SiC產業投資熱度高漲，已披露的投資項目約20個，覆蓋從襯底到功率模塊全產業鏈，投資金額達300億元。 GaN在5G宏基站和毫米波小基站以及快充市場中獲得應用。由于高頻下具有較高的輸出功率和效率，GaN在射頻領域應用較多。2020年2月，小米推出65W GaN充電器，從0充電至100%僅需45分鐘，引發市場熱捧。2019年GaN器件市場約為0.8億美元，預計年增速也高達40%。目前GaN射頻市場主要由Cree、Macom、Intel等占據，功率市場有英飛凌、Transphorm等。近來年，國內企業如三安集成、海威華芯等也在積極布局GaN項目。 后疫情時期，隨著中國政府推動的新基建產業興起，5G、新能源汽車、消費電子等行業的快速發展，SiC和GaN產業和相關企業將迎來空前的發展機遇。 第三代半導體技術、材料、設備與市場論壇2020擬定于9月8-9日在廈門召開。會議將由亞化咨詢主辦，多家國內外龍頭企業重點參與。 有關事宜通知如下： 一、 研討會議題： 1. 全球與中國第三代半導體市場及產業發展機遇 2. 中國第三代半導體產業政策與項目規劃 3. 第三代半導體技術發展趨勢 4. SiC PVT長晶技術&液相法的現狀及發展 5. 新基建相關產業對第三代半導體及材料的需求 6. SiC市場以及技術發展難題&解決方案 7. GaN射頻器件及模塊在5G基站方面的應用 8. GaN在快充市場中的發展及替代情況 9. 第三代半導體國產化與技術及設備發展機遇與挑戰 10. 其他化合物半導體，如GaAs等 11. 工業參觀與考察 二、 時間：2020年9月8-9日 三、 會議地點：廈門五緣灣凱悅酒店 四、 報到時間：2020年9月7日 17：00-20：00 五、 會議注冊費和回執，請聯系： 陳經理：021-68726606-109/13701609248（微信同號） 或填寫表單預報名：http://idepwa1pt9m7lqzd.mikecrm.com/lMNIpvd |
