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ISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位靜態(tài)RAM，組織為512K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技術制造的。這種高度可靠的工藝加上創(chuàng)新的電路設計技術，可生產(chǎn)出高性能和低功耗的設備。 當CS1為HIGH（取消選擇）或CS2為LOW（取消選擇）或CS1為LOW，CS2為HIGH且LB和UB均為HIGH時，器件將處于待機模式，在該模式下，可通過CMOS輸入降低功耗水平。 使用芯片使能和輸出使能輸入可輕松擴展存儲器。激活的LOW Write Enable（WE）控制存儲器的寫入和讀取。數(shù)據(jù)字節(jié)允許訪問高字節(jié)（UB）和低字節(jié)（LB）。 IS62WV51216ALL和IS62WV51216BLL封裝在JEDEC標準的48引腳迷你BGA（7.2mmx8.7mm）和44引腳TSOP（TYPE II）中。英尚微電子親自授權(quán)為ISSI代理,為各行業(yè)領域提供各種SRAM芯片,保持長期供貨,完成客戶各方面的需求. |
| ISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位靜態(tài)RAM，組織為512K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技術制造的。這種高度可靠的工藝加上創(chuàng)新的電路設計技術，可生產(chǎn)出高性能和低功耗的設備。 |
| 當CS1為HIGH（取消選擇）或CS2為LOW（取消選擇）或CS1為LOW，CS2為HIGH且LB和UB均為HIGH時，器件將處于待機模式，在該模式下，可通過CMOS輸入降低功耗水平。 |
| 使用芯片使能和輸出使能輸入可輕松擴展存儲器。激活的LOW Write Enable（WE）控制存儲器的寫入和讀取。數(shù)據(jù)字節(jié)允許訪問高字節(jié)（UB）和低字節(jié)（LB）。 |
