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作者：Juan Carlos Rodriguez 和 Martin Murnane, ADI公司 簡介 電動汽車、可再生能源和儲能系統(tǒng)等電源發(fā)展技術的成功取決于電力轉換方案能否有效實施。電力電子轉換器的核心包含專用半導體器件和通過柵極驅動器控制這些新型半導體器件開和關的策略。 目前最先進的寬帶器件，如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)半導體具有更高的性能，如600 V至2000 V的高電壓額定值、低通道阻抗，以及高達MHz范圍的快速切換速度。這些提高了柵極驅動器的性能要求，例如，，通過去飽和以得到更短的傳輸延遲和改進的短路保護。 本應用筆記展示了ADuM4136 柵極驅動器的優(yōu)勢，這款單通道器件的輸出驅動能力高達4 A，最大共模瞬變抗擾度(CMTI)為150 kV/μs，并具有包括去飽和保護的快速故障管理功能。 與Stercom Power Solutions GmbH協(xié)作開發(fā)，用于SiC功率器件的柵極驅動單元(GDU)展現(xiàn)了ADuM4136 的性能（參見圖1）。電路板采用雙極性隔離電源供電，其基于使用LT3999 電源驅動器構建的推挽式轉換器。此單片式高壓、高頻、DC/DC轉換驅動器包含具有可編程限流功能的1 A雙開關，提供高達1 MHz的同步頻率，具有2.7 V至36 V的寬工作范圍，關斷電流<1 μA。 該解決方案采用SiC金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)電源模塊(F23MR12W1M1_ B11)進行測試，SiC模塊提供1200 V的漏源擊穿電壓、22.5 mΩ典型通道電阻和100 A脈沖漏電流能力，最大額定柵極源極電壓為−10 V和+20 V。 本應用筆記評估了該解決方案生成的死區(qū)時間，并分析研究GDU引入的總傳播輸延遲。通過去飽和檢測，測試了對SiC器件的過載和短路保護功能。 測試結果表明，該解決方案響應快速。 下載全文： 
ADI Power技術文章 - 使用ADuM4136 隔離式柵極驅動器和LT3999 DC、DC轉換器驅動1200 V.pdf
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