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來源：TechNews科技新報 根據科技媒體《ZDNet》的報導，在日前的2017年國際電子元件會議（IDEM 2017）上，晶圓代工大廠格羅方德（GlobalFoundries）公布了有關其7納米制程的詳細資訊。與當今用于AMD處理器，IBM Power服務器芯片，以及其他產品的14納米制程產品相比，7納米制程在密度、性能與效率方面都有顯著提升。另外，格羅方德還表示，7納米制程將采用當前光刻技術。不過，該公司也計劃盡快啟用下一代EUV光刻技術以降低生產成本。 報導中指出，格羅方德最新一代的3D或FinFET電晶體，在7納米制程下具有30納米的鰭間距（導電通道之間的間距）、56納米的柵極間距、以及40納米的最小金屬間距。此外，7納米制程可生產的最小高密度SRAM單元尺寸為0.0269平方微米。以上公布的這些間距尺寸，相較14納米制程來說已經有了大幅度的進步。對此，格羅方德方面表示，其調整了鰭片形狀與輪廓以獲取最佳性能。不過，格羅方德卻拒絕提供有關該翅片寬度與高度的測量資料。 而根據格羅方德所公布的這些尺寸，不僅類似于臺積電的7納米制程，與英特爾宣稱跟其他晶圓代工廠7納米制程同等級的10納米制程來說也大致相同。至于，另一家晶圓代工大廠三星，則將于2018年初在國際固態電路研討會（ISSCC 2018）上公布其直接采用EUV技術的7納米制程的詳細資訊。 據了解，格羅方德將提供兩款不同版本的7納米制程。其中，用于移動處理器的高密度標準單元配有兩個鰭片，高度僅為240納米。換言之，即是該款芯片在SoC級別上較14納米的芯片面積減少了0.36倍。另一款則被設計用于高性能服務器的芯片使用上（例如IBM Power），不僅配有4個鰭片，以及較大的觸點與導線，還能夠以更高的效率執行。 總而言之，格羅方德方面預計7納米制程能夠達成2.8倍的電晶體密度提升，并提高40%的性能表現，亦或者是在同等性能條件下將功耗降低55%。另外在高性能版本上，還能夠額外提供10%的性能提升。盡管這些資料令人印象深刻，不過這些資料均來自于7納米制程與三星的14納米制程的比較。 另外，格羅方德也宣布透過兩個階段將EUV光刻技術導入現有的制程中。第一階段，該公司會將EUV應用于觸體與通孔，藉此去除制造過程中至少10個光刻步驟，確保客戶無需重新設計其芯片即可降低芯片制造成本；在第二階段，該公司會達成EUV在幾個關鍵過程中的應用，只是這種做法可能需要重新設計芯片。不過，最終卻會獲得額外的功率、性能與尺寸上的優勢。 報導中進一步表示，格羅方德的7納米制程將在2018年中期進行試生產，2019年在紐約馬爾他工廠進行量產。對此，格羅方德表示，該公司有多種產品現在仍處于投入生產前的最后一個主要設計步驟，而且計劃在2018年推出。另外，7納米制程也是其格羅方德FX-7 ASIC產品的基礎，目前許多格羅方德的許多客戶正在使用FX-7 ASIC設計，封裝有高頻寬存儲器的專用高性能芯片，來用于處理機器學習的工作上。 至于，對需求更低功耗應用的客戶，格羅方德也推出了一套基于FD-SOI（在絕緣材料上采用全耗盡型絕緣上覆矽）的替代方案。盡管FD-SOI需要采用不同類型的晶圓基片，因而導致其物料成本稍微偏高，但也因此能夠簡化設計與制程步驟，使得整體成本仍存在一定的競爭力。更為重要的是，FD-SOI能夠以更低的功耗提供類似高端FinFET的性能，使其更適用于諸如物聯網之類的應用，或中低端手機的處理器等。 格羅方德技術長Gary Patton在接受媒體聯訪時表示，格羅方德將轉型成為一家全方位服務型代工廠商，其中，對IBM Microelectronics的成功收購，為該公司在3D FinFET領域帶來了大量知識產權與專業技術，使得格羅方德有能力自主研發其7納米制程，以及領先的無線RF（射頻）業務。 Gary Patton強調，目前格羅方得的美國紐約馬爾他晶圓廠正在大量生產14納米芯片，此外，格羅方德公司還營運了另外4座晶圓廠，而在中國成都的第6座晶圓廠將于2018年投入生產。目前除了AMD與IBM為主要客戶之外，其他在多個應用領域都有一定的成績，包括在人工智慧、汽車電子、5G通訊與物聯網等項目。 |
