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清華大學與TSMC 16日共同發(fā)表65nm產(chǎn)學合作成果，藉由TSMC所提供的65nm制程晶圓共乘服務，清華大學微電子學研究所在半數(shù)字鎖相環(huán)(Phase Lock Loop)以及模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換器(Analog Digital Converter)二項研究上創(chuàng)下世界級的里程碑，為中國的集成電路設計業(yè)帶來創(chuàng)新的發(fā)展。 TSMC為了協(xié)助清華大學優(yōu)秀的青年學子實現(xiàn)其卓越的設計構(gòu)想，自2010年起提供多次65nm 及90nm制程晶圓共乘服務，讓同學們在TSMC的協(xié)助下，落實系統(tǒng)單芯片（SoC）的數(shù)字、模擬、射頻混合信號集成電路設計以及IP等先進研究項目的創(chuàng)新開發(fā)，目前已有具體成效。 在鎖相環(huán)電路方面，清華大學結(jié)合TSMC65nm制程的先進技術平臺，領先業(yè)界開發(fā)半數(shù)字(Semi-Digital)的設計方式，有效改善傳統(tǒng)全模擬(Full Analog)及全數(shù)字(Full Digital)設計所導致的高漏電與高耗電的缺點，達到先進制程縮小芯片尺寸并能同時降低耗電的顯著成果，與國際已發(fā)表的傳統(tǒng)設計相較具有明顯優(yōu)勢。 在模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器方面，清華大學針對無線通訊產(chǎn)品所需的模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器進行研究，提出簡化放大器與比較器的設計，在TSMC65nm制程 1volt（伏特）標準工作電壓下，其信號對諧波失真與噪聲比(Signal to Noise plus Distortion Reduction, SNDR) 精確性高達95dB(分貝），同時耗電小于380μw（微瓦），并且在工作電壓降低到0.6volt時，仍然保有90.2dB的SNDR水準，突破業(yè)界現(xiàn)有的SNDR表現(xiàn)。 國家863計劃資訊領域?qū)＜医M成員暨清華大學教授王志華博士表示，TSMC提供清華大學65nm制程晶圓共乘服務，讓清華大學的教授、學生有機會利用業(yè)界最優(yōu)異的先進制程進行創(chuàng)新設計，并且快速地完成了兩項高水平、領先業(yè)界的研究成果，奠定以往難有的佳績，進一步提升中國集成電路設計業(yè)的水準，建立產(chǎn)學合作典范，相信未來雙方的密切合作將可為中國的半導體業(yè)帶來更豐沛的創(chuàng)新動能。 TSMC中國業(yè)務發(fā)展副總經(jīng)理羅鎮(zhèn)球指出，人才是中國半導體業(yè)的發(fā)展基石，TSMC一直在培養(yǎng)國內(nèi)人才上作出積極貢獻。此次清華大學65nm的創(chuàng)新設計, 在TSMC先進工藝平臺流片, 驗證其實際效能已超越世界水平, 更是充分體現(xiàn)了產(chǎn)學研合作的優(yōu)勢。未來TSMC將繼續(xù)以先進的技術與充沛的產(chǎn)能，為學界及客戶提供最強而有力的支持，成為中國創(chuàng)新設計的最佳合作伙伴。 來源：賽迪網(wǎng) |
