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支持寬溫并符合AEC Q100驗證規(guī)范的非易失性內(nèi)存技術(shù) 富士通電子元器件（上海）有限公司今天宣布，推出全新FRAM（鐵電隨機(jī)存儲器）解決方案---MB85RS128TY和MB85RS256TY，此為該全新產(chǎn)品系列的首推器件。這兩款器件可在高達(dá)攝氏125度的高溫環(huán)境下運(yùn)作，專為汽車產(chǎn)業(yè)和安裝有電機(jī)的工業(yè)控制機(jī)械等設(shè)計，且符合嚴(yán)苛的汽車行業(yè)AEC Q100標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。富士通電子希望通過該全新產(chǎn)品系列拓展其汽車市場的各種應(yīng)用，并支持產(chǎn)品創(chuàng)新的研發(fā)項目。 
車載電子控制系統(tǒng)對于存取各類傳感器資料的需求持續(xù)增加，因此對于高效能非易失性內(nèi)存技術(shù)的需求也越來越高，因為當(dāng)系統(tǒng)在進(jìn)行資料分析或是其他數(shù)據(jù)處理時，只有這類內(nèi)存才能夠可靠而無延遲地儲存?zhèn)鞲衅魉鸭臄?shù)據(jù)。由于FRAM屬于非失去性內(nèi)存，不僅能進(jìn)行高速隨機(jī)存取，且擁有高耐寫度的特性，因此能以最佳的性能滿足這類應(yīng)用的需求。目前，F(xiàn)RAM器件能支持如安全氣囊數(shù)據(jù)儲存、事故數(shù)據(jù)記錄器（EDR）、電池管理系統(tǒng)（BMS）、汽車駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）及導(dǎo)航與信息娛樂系統(tǒng)等應(yīng)用中的實時且持續(xù)的數(shù)據(jù)儲存，故能降低系統(tǒng)復(fù)雜度并提高數(shù)據(jù)完整性。 富士通電子的全新車用FRAM 產(chǎn)品MB85RS128TY和MB85RS256TY搭配SPI界面，提供128kbit和256kbit兩個容量。其操作電壓范圍為1.8~3.6V，操作溫度范圍為攝氏零下40~125度，這樣的寬溫范圍符合車用市場標(biāo)準(zhǔn)及高溫環(huán)境下的工業(yè)應(yīng)用需求。MB85RS128TY和MB85RS256TY提供高達(dá)10兆次的寫入次數(shù)，采用標(biāo)準(zhǔn)SOP-8封裝。 富士通電子產(chǎn)品管理部總監(jiān)馮逸新表示：“汽車產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷史上最大幅度的轉(zhuǎn)型。通過全新FRAM解決方案，我們得以支持創(chuàng)新公司將創(chuàng)意轉(zhuǎn)化為實際產(chǎn)品。我們不只為全球的客戶提供器件，更為基于此FRAM的每項開發(fā)項目提供顧問服務(wù)，與客戶一起克服挑戰(zhàn)并協(xié)助他們加快創(chuàng)新流程。” MB85RS128TY，MB85RS256TY現(xiàn)已提供工程樣品。AEC Q100認(rèn)證預(yù)計在2017年7月完成。 |
