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【文/ 觀察者網專欄作者 鐵流】 日前，中芯國際發布公告稱，臺積電前共同運營長蔣尚義將出任中芯國際獨立董事。在21日中芯國際公告蔣尚義出任其獨董后，有臺媒報道稱，臺積電前CEO、中華電信前董事長蔡力行將加盟紫光集團。緊接著，業界又傳出曾經投奔三星的前臺積電資深研發處長梁孟松，已于第3季度離開三星，近期將投入中芯國際。 雖然紫光集團和蔡力行否認了媒體的報道，中芯國際也并沒有對梁孟松是否加盟做明確表態，但聯系之前紫光高薪聘請臺灣有“存儲教父”之稱的高啟明，很容易讓人聯想到中國大陸意圖從臺灣聘請人才發展集成電路產業。 重金網羅臺灣人才有用么 12月21日，中芯國際宣布委任蔣尚義博士為該公司第三類獨立非執行董事，任期將至中芯明年股東會召開日為止。根據中芯與蔣尚義簽署的合約，蔣尚義將有權獲得4萬美元的年度現金酬金，以及187500股可供認購普通股和187500股受限制股。 蔣尚義在半導體行業工作40年，在臺積電工作期間主要負責技術研發，先后擔任過研發副總裁、共同首席營運長及董事長顧問等職，牽頭了0.25um、0.18um、0.15um、0.13um、90nm、65nm、40nm、28nm、20nm和16nm FinFET等關鍵節點的研發。在臺灣半導體工業界和臺積電的威望很高，一度是外界呼聲最高、最看好的接班人選，對技術和產業發展有非常深刻的理解。 
蔣尚義 就在中芯國際公布蔣尚義博士任獨立非執行董事后不久，臺灣媒體報道臺積電前CEO、中華電信前董事長蔡力行將加盟紫光集團。不過，紫光集團明確否認了這一傳聞，并表示與蔡力行并沒有進行什么實質性接觸。蔡力行本人也表示，“并無此事，謝謝關心”。 隨后，業界又傳出前臺積電資深研發處長梁孟松已于第3季度離開三星，近期將加入中芯國際。梁孟松是何許人？他曾是臺積電在半導體先進制程模組開發方面的悍將，臺積電的28nm制造工藝就和梁孟松參與研發的多項專利有關。雖然在美國專利局的資料庫里梁孟松個人參與發明的專利半導體技術只有181件，但由于其參與的都是最重要先進制程的技術研發，掌握或接觸過不少臺積電的關鍵技術。 在2006年蔣尚義退休后，梁孟松原本以為升遷有望，沒想到臺積電從Intel挖來了羅唯仁，同時，孫元成被提拔為研發副總經理，而梁孟松則被調為基礎架構的專案處長……他選擇三星，正是因為職場不順，加上三星的高薪聘請——三星開的條件是：在臺積電十年能賺到的錢，在三星三年就能賺到。此外，三星還出動行政專機，專門搭載梁孟松及一同被挖走的幾十名臺積電員工往返臺灣和韓國。之后，三星和臺積電因挖走梁孟松并把技術帶到三星打了長達4年的官司……
那么，中國大陸企業高薪挖人的做法有用么？從實踐上看，三星在挖走梁孟松后，在45、32、28nm制造工藝上縮小了與臺積電的距離，在14nm制造工藝上三星堪稱大躍進，更是憑此斬獲了蘋果和高通的訂單，臺積電董事長張忠謀也公開承認16nm技術被三星超前，以致臺積電股價一度大跌。 雖然梁孟松掌握的技術究竟對三星14nm FinFET制程有多大貢獻我們不得而知，但2015年量產的16/14nm FinFET產品比較相似——在訴訟中，臺積電提交的《臺積電、三星、IBM產品關鍵制程結構分析比對報告》中指出：臺積電幾項如指紋般獨特且難以模仿的技術特征皆遭三星模仿。 因此，高薪挖人的做法是行之有效的。因為技術是跟著人走的，特別是蔣尚義這樣的人才，不僅對產業理解非常深刻，而且有非常深厚的人脈，對中芯國際的發展有積極作用。 “派了個人過來看住中芯”未免多慮 雖然有讀者稱，“怎么看都像是臺積電派了個人過來看住中芯，免得中芯超過臺積電”，但筆者認為這種想法未免多慮了。中芯國際由張汝京在2000年創辦，最初的技術骨干不少是和張汝京一同來大陸的臺灣籍員工，之后更是因為專利糾紛與臺積電發生訴訟。 2011年，因長期積累的臺灣籍員工自命高人一等，歧視大陸員工，導致臺干和陸干之間矛盾尖銳無法調和，并以人事斗爭的方式爆發。最終，臺籍高管在這次人事爭斗中失勢，大唐電信控股中芯國際，中芯國際也隨之打上了國企的烙印（混合所有制）。 在2014年國家成立集成電路產業投資基金后，中芯國際也得到了大基金的扶持，已連續在上海、天津、深圳三地宣布擴產計劃，其中在上海和深圳啟動建設300毫米晶圓生產線，深圳廠預計2017年底投產，目標產能為每月4萬片晶圓。2015年中芯國際、華為、高通、比利時微電子研究中心在人民大會堂舉行簽約儀式，宣布共同投資組建中芯國際集成電路新技術研發(上海)有限公司，開發下一代CMOS邏輯工藝。 近日，紫光集團增持中芯國際5000萬港元股份，持股比率升至7％左右，已然成為中芯國際的第3大股東，持股比例僅次于大唐電信和中國國家集成電路產業投資基金。 從中可見，中芯國際不僅得到了國家的扶持，也被紫光集團這樣的投資人看好，更獲得了比利時微電子研究中心的技術支持，從長遠來看，前景是比較好的。但是就現在而言，中芯國際和臺積電的差距還是非常大的，以2015年的統計數據來看：
中芯國際的市場占有率為4.6%，位列第五，而臺積電的市場占有率為54.3%，是中芯國際的約13倍，在營業收入上同樣是中芯國際的13倍左右，雖然中芯國際的增長很高，但這一方面固然有中芯國際自身的努力，但另一方面也有國家扶持的因素，比如發改委對高通反壟斷后，高通將部分中低端芯片訂單給了中芯國際。 在2016年，中芯國際先后宣布14nm制程將在2018年投產，以及2016年投資金額提升至25億美元，雖然這兩項指標都超過了聯電，但從一些細節數據上，和臺積電、聯電依舊是有差距的。在2016年，臺積電營業收入的54%是來自于40nm及以下制程技術，格羅方德的比例為48%，聯電為18%，中芯國際僅有2%。不過，必須指出的是，2016年中芯國際40納米以下制程的營收規模是2015年的23倍，雖然差距較大，但中芯國際從未停止追趕的腳步。 從上述數據可以看出，中芯國際已經得到國家的大力扶持和社會資本青睞，并快速發展，但和臺積電依舊有很大差距。無論從技術上看還是從商業上看，中芯國際都對臺積電無法構成威脅，也就沒有所謂“派了個人過來看住中芯”的必要性。 將目標瞄準聯電更加實際 目前，中芯國際還無法和臺積電相提并論，即便與排名第四的三星相比，在技術上也存在差距，畢竟三星在2015年就已經掌握了14nm FinFET工藝并商業化量產，而中芯國際直到今年才實現28nm HKMG工藝商業化量產，在制造工藝上與三星差了2代。 格羅方德雖然集合了美國AMD、IBM的晶圓廠和新加坡特許半導體（IBM將晶圓廠賣給格羅方德還倒貼了15億美元），但在近年來連年虧損——2013年虧損9億美元，2014年虧損15億美元，2015年虧損13億美元，2016年上半年虧損13.5億美元……格羅方德大股東穆巴達拉發展公司（阿聯酋阿布達比先進技術投資公司）也大感吃不消，甚至有傳言稱要賣給中國大陸企業。 在技術上，也許是因為IBM等公司的遺產，還是其他一些原因，格羅方德一直沒有放棄研發SOI工藝，格羅方德宣稱：22nm FD-SOI工藝功耗比28nm HKMG降低了70%；芯片面積比28nm Bulk縮小了20%；光刻層比FinFET工藝減少接近50%，芯片成本比16/14nm低了20%。 可惜Intel和臺積電選擇了FinFET，這直接導致FinFET成為了主流，SOI工藝則有被邊緣化的趨勢，只能在傳感器和射頻芯片等方面尋找立足之地。而在14nm FinFET上格羅方德選擇了購買三星的技術授權。在前不久，格羅方德更是宣布跳過10 nm制程，著手7 nm制程研發。這些做法使外界對格羅方德的技術研發能力產生疑慮，加上商業上的連年虧損，使不少人并不看好格羅方德的前景。長遠來看，格羅方德未必會成為中芯國際的對手——也許中芯國際還未成長壯大，格羅方德就已日薄西山了。
聯電 相對于有“舉國體制”護體的三星和前景不明的格羅方德，中芯國際將目標對準聯電更加合適，畢竟兩家企業掌握28nm制造工藝的時間較為相近，而且聯電還在廈門設立了12寸晶圓廠。今年11月16日，聯電于廈門設立的12寸合資晶圓廠已開始商業化量產，采用廈門廠40nm制程的通訊芯片產品良率逾99%。 另外，雖然合同上簽的是40nm制程，但聯電希望能將28nm制程導入大陸。不過，因為臺灣當局要求的“N-1代”代差限制，加上聯電14納米制程在中國臺灣地區尚未量產，因此未能如愿將28nm制程導入大陸。 由于聯電在技術上與中芯國際較接近，而且合資企業有可能分享政策紅利，加上聯電早年在大陸設立和艦科技和已在廈門商業量產的12寸晶圓廠，以及中芯國際的大部分營收還是來自40nm以上制程技術，聯電可能會是中芯國際最直接的競爭對手，相對于高高在上的臺積電和技術領先并可以垂直整合的三星，及前景不明的格羅方德，將聯電定位為追趕的目標相對而言更加切合實際。 （作者微信公眾號：tieliu1988） |
