Vishay推出新款600V和650V E系列MOSFET，提高了可靠性并減小封裝電感

發布時間：2016-7-18 13:46 發布者：eechina

MOSFET節省空間，可替代TO-252(DPAK)封裝的器件，適用于照明、計算和消費應用

Vishay推出3顆采用小尺寸PowerPAK SO-8L封裝的N溝道器件---SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E，擴充其600V和650V E系列功率MOSFET。Vishay Siliconix 600V SiHJ8N60E和650V SiHJ6N65E、SiHJ7N65E更省空間，可替代TO-252(DPAK)封裝的MOSFET，具有高可靠性和小封裝電感，可用于照明、工業、電信、計算和消費應用。

今天推出的MOSFET由Vishay Siliconix設計和開發，表面貼裝PowerPAK SO-8L封裝完全符合RoHS，無鹵素，無鉛。SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E的尺寸為5mm x 6mm，占板空間和高度只有TO-252(DPAK)封裝器件的一半。而且，與無引線DFN封裝的MOSFET相比，在整機設備的使用壽命內碰到溫度循環情況時，PowerPAK SO-8L的鷗翼引線結構能有效提高板級的可靠性。

SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E使用Vishay最新的高能效E系列超級結技術制造，在10V下的最大導通電阻只有0.52Ω，柵極電荷低至17nC，導通電阻與柵極電荷乘積更低，該參數是評價功率轉換應用中MOSFET的優值系數。在功率因數校正、反激、雙管正激轉換器，以及HID和LED照明、工業、電信、消費和計算類應用的電源適配器等硬開關拓撲中，這些參數意味著MOSFET能實現極低的傳導和開關損耗，有效節約能源。

MOSFET可承受雪崩和換相模式中的高能脈沖，保證限值通過100%的UIS測試。

器件規格表：

產品編號	VDS (V)	VGS (V)	ID (A) @ 25 °C	RDS(ON) (Ω) @ 10 V (最大值)	Qg (nC) @ 10 V
產品編號	VDS (V)	VGS (V)	ID (A) @ 25 °C	RDS(ON) (Ω) @ 10 V (最大值)	(典型值)
SiHJ8N60E	600	± 30	8	0.52	22
SiHJ6N65E	650	± 30	5.6	0.868	16
SiHJ7N65E	650	± 30	7.9	0.598	22

SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E MOSFET現可提供樣品，并已實現量產，供貨周期為十六周。

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