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MOSFET節(jié)省空間，可替代TO-252(DPAK)封裝的器件，適用于照明、計(jì)算和消費(fèi)應(yīng)用 Vishay推出3顆采用小尺寸PowerPAK SO-8L封裝的N溝道器件---SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E，擴(kuò)充其600V和650V E系列功率MOSFET。Vishay Siliconix 600V SiHJ8N60E和650V SiHJ6N65E、SiHJ7N65E更省空間，可替代TO-252(DPAK)封裝的MOSFET，具有高可靠性和小封裝電感，可用于照明、工業(yè)、電信、計(jì)算和消費(fèi)應(yīng)用。 
今天推出的MOSFET由Vishay Siliconix設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)，表面貼裝PowerPAK SO-8L封裝完全符合RoHS，無(wú)鹵素，無(wú)鉛。SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E的尺寸為5mm x 6mm，占板空間和高度只有TO-252(DPAK)封裝器件的一半。而且，與無(wú)引線DFN封裝的MOSFET相比，在整機(jī)設(shè)備的使用壽命內(nèi)碰到溫度循環(huán)情況時(shí)，PowerPAK SO-8L的鷗翼引線結(jié)構(gòu)能有效提高板級(jí)的可靠性。 SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E使用Vishay最新的高能效E系列超級(jí)結(jié)技術(shù)制造，在10V下的最大導(dǎo)通電阻只有0.52Ω，柵極電荷低至17nC，導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積更低，該參數(shù)是評(píng)價(jià)功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中MOSFET的優(yōu)值系數(shù)。在功率因數(shù)校正、反激、雙管正激轉(zhuǎn)換器，以及HID和LED照明、工業(yè)、電信、消費(fèi)和計(jì)算類(lèi)應(yīng)用的電源適配器等硬開(kāi)關(guān)拓?fù)渲校@些參數(shù)意味著MOSFET能實(shí)現(xiàn)極低的傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗，有效節(jié)約能源。 MOSFET可承受雪崩和換相模式中的高能脈沖，保證限值通過(guò)100%的UIS測(cè)試。 器件規(guī)格表：
SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為十六周。 |
