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布局前的準備: 1 查看捕捉點設置是否正確.08工藝為0.1,06工藝為0.05,05工藝為0.025. 2 Cell名稱不能以數字開頭.否則無法做DRACULA檢查. 3 布局前考慮好出PIN的方向和位置 4 布局前分析電路，完成同一功能的MOS管畫在一起 5 對兩層金屬走向預先訂好。一個圖中柵的走向盡量一致，不要有橫有豎。 布局時注意: 6 更改原理圖后一定記得check and save 7 完成每個cell后要歸原點 8 DEVICE的個數是否和原理圖一至；各DEVICE的尺寸是否和原理圖一至。一般在拿到原理圖之后，會對布局有大概的規劃，先畫DEVICE，再連線。畫DEVICE后從EXTRACTED中看參數檢驗對錯。 9 如果一個cell調用其它cell，被調用的cell的vssx,vddx,vssb,vddb如果沒有和外層cell連起來，要打上PIN,否則通不過diva檢查.最好在布局低層cell時就連起來。 10 盡量用最上層金屬接出PIN。 11 接出去的線拉到cell邊緣,布局時記得留出走線空間. 12 金屬連線不宜過長； 13 電容一般最后畫，在空檔處拼湊。 14 小尺寸的mos管孔可以少打一點. 15 LABEL標識元件時不要用y0層，GDS文件不認。 16 管子的溝道上不要走線 17 電容上下級板的電壓注意要均勻分布；電容的長寬不宜相差過大�？梢远鄠�電阻并聯. 18 多晶硅不能兩端都打孔連接金屬。 19 一般打孔最少打兩個 20 薄氧化層是否有對應的植入層 21 金屬連接孔可以嵌在diffusion的孔中間. 22 兩段金屬連接處重疊的地方注意金屬線最小寬度 23 連線接頭處一定要重疊，畫的時候將該區域放大可避免此錯誤。 24 擺放各個小CELL時注意不要擠得太近，沒有留出走線空間。最后線只能從DEVICE上跨過去。 25 Text2,y0層只是用來做檢查或標志用,不用于光刻制造. 26 芯片內部的電源線/地線和ESD上的電源線/地線分開接。 27 Pad的pass窗口的尺寸畫成整數. 28 連接Esd電路的線不能斷，如果改變走向不要換金屬層 29 關于匹配電路，放大電路不需要和下面的電流源匹配。什么是匹配？使需要匹配的管子所處的光刻環境一樣。 匹配分為橫向，縱向，和中心匹配。 1221為縱向匹配，12為中心匹配（把上方1轉到下方1時，上方2也達到下方2位置） 21 中心匹配最佳。 30 尺寸非常小的匹配管子對匹配畫法要求不嚴格.4個以上的匹配管子,局部和整體都匹配的匹配方式最佳. 31 關于powermos ① powermos一般接pin，要用足夠寬的金屬線接，最好把整個powermos覆蓋 ② 幾種縮小面積的畫法。 32 金屬層dummy要和金屬走向一致，即如果M2橫走，M2的dummy也是橫走向 33 低層cell的pin,label等要整齊.不要刪掉以備后用. 出錯檢查: 34 DEVICE的各端是否都有連線；連線是否正確； 35 完成布局檢查時要查看每個接線的地方是否都有連線，特別注意VSSX，VDDX 36 查線時用SHOTS將線高亮顯示，便于找出可以合并或是縮短距離的金屬線。 37 多個電阻（大于兩根）打上DUMMY。保證每根電阻在光刻時所處的環境一樣，最外面的電阻的NPIM層要超出EPOLY2 0.55 um，即兩根電阻間距的一半。 38 無關的MOS管的THIN要斷開，不要連在一起 39 并聯的管子注意漏源合并，不要連錯線。一個管子的源端是另一個管子的漏端 40 做DRAC檢查時最上層的pin的名稱用text2標識。Text2的名稱要和該pin的名稱一樣. 41 大CELL不要做DIVA檢查,用DRACULE. 42 消除電阻dummy的lvs報錯，把nimp和RPdummy層移到最邊緣的電阻，不要覆蓋dummy 節省面積的途徑 43 電源線下面可以畫有器件.節省面積. 44 電阻上面可以走線，畫電阻的區域可以充分利用。 45 電阻的長度畫越長越省面積。 46 走線時金屬線寬走最小可以節省面積.并不需要走孔的寬度. 47 做新版本的layout圖時，舊圖保存，不要改動或刪除。減小面積時如果低層CELL的線有與外層CELL相連，可以從更改連線入手，減小走線面積。 48 版圖中面積被device，device的間隔和走線空間分割。減小面積一般從走線空間入手，更改FLOORPLAN 專業PCB、電子、單片機技術實訓，歡迎交流群 3445885702 |
