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支持-30V至100V的電壓的SOT-23功率MOSFET（IR）

發布時間：2010-7-21 11:25 發布者：嵌入式公社

國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新HEXFET功率MOSFET系列。該器件采用業界標準SOT-23封裝，具有超低導通電阻 (RDS(on)) ，適用于電池充電及放電開關、系統和負載開關、輕載電機驅動，以及電信設備等應用。

新款SOT-23 MOSFET 器件采用IR最新的中壓硅技術，通過大幅降低90% RDS(on)顯著改善了電流處理能力，為客戶的特定應用優化了性能及價格。

新器件達到第一級潮濕敏感度 (MSL1) 業界標準，所采用的材料不含鉛，并符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS) 。

器件編號	BVDSS	25°C下的最大Id	10V下的典型 / 最大RDS(on) (mΩ)	4.5V下的典型 / 最大RDS(on) (mΩ)	典型Qg
IRLML9301TRPBF	-30V	3.6 A	51 / 64	82 / 103	4.8 nC
IRLML9303TRPBF	-30V	2.3 A	135 / 165	220 / 270	2.0 nC
IRLML0030TRPBF	30V	5.2 A	22 / 27	33 / 40	2.6 nC
IRLML2030TRPBF	30V	2.7 A	80 / 100	123 / 154	1.0 nC
IRLML0040TRPBF	40V	3.6 A	44 / 56	62 / 78	2.6 nC
IRLML0060TRPBF	60V	2.7 A	78 / 92	98 / 116	2.5 nC
IRLML2060TRPBF	60V	1.2 A	356 / 460	475 / 620	0.4 nC
IRLML0100TRPBF	100V	1.6 A	178 / 220	190 / 235	2.5 nC

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