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MOSFET或IGBT保護方法有很多，有專門帶保護的驅動電路，也有用康銅絲做電流采樣的保護電路。專門帶保護的驅動電路一般成本較高，用康銅絲做電流采樣+比較器容易產生振蕩。下面介紹一種無采樣電阻的方法。 下面介紹一種無采樣電阻的方法： 上圖中，Q1是功率管MOSFET或IGBT，R1是負載，D1是采樣二極管，R2是上拉電阻。在Q1導通時D1的K極電壓就是Q1壓降，D1的A極電壓在其基礎上高了D1壓降(Q1壓降+D1壓降)。D1壓降是恒定值，當過載時Q1壓降增大，從而ADC采樣值增大，大到一定程度時就可以認為是過載，用程序判斷之。電路中D1的作用是防止Q1判斷時VPOWER流入ADC引腳燒毀MCU。 該方法成本低，是一種行之有效的方法。 |
