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格羅方德(GLOBAL FOUNDRIES)推出業(yè)內(nèi)首個(gè)22nm FD-SOI工藝平臺(tái)

發(fā)布時(shí)間:2015-7-14 14:21    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 22FDX , 個(gè)22nm , FD-SOI
22FDX可為物聯(lián)網(wǎng)、主流移動(dòng)設(shè)備、RF連接和網(wǎng)絡(luò)市場(chǎng)提供最佳的性能、功耗和成本組合

格羅方德半導(dǎo)體(GLOBAL FOUNDRIES)今日發(fā)布一種全新的半導(dǎo)體工藝,以滿足新一代聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的超低功耗要求!22FDX”平臺(tái)提供的性能和功耗媲美FinFET,而成本則與28nm平面晶體管工藝相當(dāng),為迅速發(fā)展的移動(dòng)、物聯(lián)網(wǎng)、RF連接和網(wǎng)絡(luò)市場(chǎng)提供了一個(gè)最佳解決方案。

雖然某些設(shè)備對(duì)三維FinFet晶體管的終極性能有要求,但大多數(shù)無(wú)線設(shè)備需要在性能、功耗和成本之間實(shí)現(xiàn)更好的平衡。22FDX 采用業(yè)內(nèi)首個(gè)22nm二維全耗盡平面晶體管技術(shù)(FD-SOI)工藝,為成本敏感型應(yīng)用提供了一條最佳途徑。憑借業(yè)內(nèi)最低的0.4伏工作電壓,該平臺(tái)實(shí)現(xiàn)了超低動(dòng)態(tài)功耗、更低的熱效應(yīng)和更為精巧的終端產(chǎn)品規(guī)格。該平臺(tái)提供的芯片尺寸比28nm工藝小20%,掩膜少10%,而且其浸沒(méi)式光刻層比f(wàn)oundry FinFET工藝少近50%,為聯(lián)網(wǎng)設(shè)備在性能、功耗和成本方面實(shí)現(xiàn)了最佳組合點(diǎn)。

格羅方德半導(dǎo)體首席執(zhí)行官Sanjay Jha表示:“22FDX平臺(tái)能夠讓我們的客戶在性能、功耗和成本之間實(shí)現(xiàn)最佳平衡的差異化產(chǎn)品。該平臺(tái)在業(yè)內(nèi)率先提供針對(duì)晶體管特性的實(shí)時(shí)系統(tǒng)軟件控制功能:系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員能夠動(dòng)態(tài)平衡功耗、性能和漏電。此外,針對(duì)聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用中的射頻和模擬集成,該平臺(tái)可提供最佳的擴(kuò)展性和最高的能效。”

22FDX采用了格羅方德公司位于德國(guó)德累斯頓的最先進(jìn)的300mm生產(chǎn)線上的量產(chǎn)28nm平臺(tái)。該工藝建立在近20年對(duì)歐洲最大的半導(dǎo)體晶圓廠的持續(xù)投資之上,掀開(kāi)了“薩克森硅谷”發(fā)展史上的一個(gè)新篇章。格羅方德半導(dǎo)體在德累斯頓為22FDX平臺(tái)投入了2.5億美元,用于技術(shù)研發(fā)和啟動(dòng)22FDX的生產(chǎn),從而將公司自2009年以來(lái)對(duì)Fab 1的總投資增至超過(guò)50億美元。公司還將加大投資提高生產(chǎn)力以滿足客戶需求。格羅方德半導(dǎo)體正與多家歐洲領(lǐng)先的研發(fā)和行業(yè)機(jī)構(gòu)開(kāi)展合作,以便為22FDX建設(shè)一個(gè)強(qiáng)大的生態(tài)系統(tǒng),縮短產(chǎn)品上市時(shí)間,并為其制定一個(gè)全面的路線圖。

格羅方德半導(dǎo)體的22FDX平臺(tái)實(shí)現(xiàn)了用軟件控制晶體管特性,能夠?qū)崟r(shí)平衡靜態(tài)功耗、動(dòng)態(tài)功耗和性能。22FDX平臺(tái)由一系列面向不同應(yīng)用的差異化產(chǎn)品構(gòu)成:

•    22FD-ulp:對(duì)于主流低成本智能手機(jī)市場(chǎng),基礎(chǔ)版超低功耗產(chǎn)品提供了FinFET的替代方案。與0.9伏的28nm HKMG相比,22FX-ulp通過(guò)采用體偏壓技術(shù),將功耗效率提升70%以上,提供了可媲美FinFET的功耗和性能。對(duì)于某些物聯(lián)網(wǎng)和消費(fèi)類應(yīng)用,該平臺(tái)在優(yōu)化后可工作于0.4V的電壓,在功耗效率上比28nm HKMG提升了90%。
•    22FD-uhp:對(duì)于集成模擬的聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用,22FD-uhp產(chǎn)品在優(yōu)化后,可實(shí)現(xiàn)與FinFET相同的超高性能,同時(shí)最大程度減少能耗。22FD-uhp定制化功能包括正向體偏壓、應(yīng)用優(yōu)化的金屬堆棧,以及支持0.95V的加壓。
•    22FD-ull:面向可穿戴和物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)的超低漏電產(chǎn)品,具備與22FX-ulp相同的低功耗能力,同時(shí)又將漏電電流降至1pa/um。較低的運(yùn)行功耗、超低漏電和靈活的體偏壓技術(shù),這一組合使能耗大幅減少,從而為新型電池供電型可穿戴設(shè)備創(chuàng)造了條件。
•    22FD-rfa:射頻模擬產(chǎn)品,可提高數(shù)據(jù)速率,減省50%的功耗,并降低系統(tǒng)成本,以滿足LTE-A蜂窩收發(fā)器、高階MIMO WiFi整合型芯片、毫米波雷達(dá)等大容量RF應(yīng)用的嚴(yán)格要求。RF活動(dòng)設(shè)備后門功能可減少或消除RF信號(hào)路徑上的復(fù)雜補(bǔ)償電路,讓RF設(shè)計(jì)人員能夠更好地發(fā)揮設(shè)備內(nèi)在的Ft性能。

格羅方德半導(dǎo)體一直與主要客戶和生態(tài)系統(tǒng)伙伴開(kāi)展密切合作,研發(fā)更好的設(shè)計(jì)方法和一整套基本和復(fù)雜的知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)。公司現(xiàn)提供設(shè)計(jì)入門套件和早期版本的工藝設(shè)計(jì)套件(PDK),并將于2016下半年啟動(dòng)風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)。

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