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22FDX可為物聯網、主流移動設備、RF連接和網絡市場提供最佳的性能、功耗和成本組合 格羅方德半導體（GLOBAL FOUNDRIES）今日發布一種全新的半導體工藝，以滿足新一代聯網設備的超低功耗要求。“22FDX”平臺提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本則與28nm平面晶體管工藝相當，為迅速發展的移動、物聯網、RF連接和網絡市場提供了一個最佳解決方案。 雖然某些設備對三維FinFet晶體管的終極性能有要求，但大多數無線設備需要在性能、功耗和成本之間實現更好的平衡。22FDX 采用業內首個22nm二維全耗盡平面晶體管技術（FD-SOI）工藝，為成本敏感型應用提供了一條最佳途徑。憑借業內最低的0.4伏工作電壓，該平臺實現了超低動態功耗、更低的熱效應和更為精巧的終端產品規格。該平臺提供的芯片尺寸比28nm工藝小20%，掩膜少10%，而且其浸沒式光刻層比foundry FinFET工藝少近50%，為聯網設備在性能、功耗和成本方面實現了最佳組合點。 格羅方德半導體首席執行官Sanjay Jha表示：“22FDX平臺能夠讓我們的客戶在性能、功耗和成本之間實現最佳平衡的差異化產品。該平臺在業內率先提供針對晶體管特性的實時系統軟件控制功能：系統設計人員能夠動態平衡功耗、性能和漏電。此外，針對聯網應用中的射頻和模擬集成，該平臺可提供最佳的擴展性和最高的能效。” 22FDX采用了格羅方德公司位于德國德累斯頓的最先進的300mm生產線上的量產28nm平臺。該工藝建立在近20年對歐洲最大的半導體晶圓廠的持續投資之上，掀開了“薩克森硅谷”發展史上的一個新篇章。格羅方德半導體在德累斯頓為22FDX平臺投入了2.5億美元，用于技術研發和啟動22FDX的生產，從而將公司自2009年以來對Fab 1的總投資增至超過50億美元。公司還將加大投資提高生產力以滿足客戶需求。格羅方德半導體正與多家歐洲領先的研發和行業機構開展合作，以便為22FDX建設一個強大的生態系統，縮短產品上市時間，并為其制定一個全面的路線圖。 格羅方德半導體的22FDX平臺實現了用軟件控制晶體管特性，能夠實時平衡靜態功耗、動態功耗和性能。22FDX平臺由一系列面向不同應用的差異化產品構成： • 22FD-ulp：對于主流低成本智能手機市場，基礎版超低功耗產品提供了FinFET的替代方案。與0.9伏的28nm HKMG相比，22FX-ulp通過采用體偏壓技術，將功耗效率提升70%以上，提供了可媲美FinFET的功耗和性能。對于某些物聯網和消費類應用，該平臺在優化后可工作于0.4V的電壓，在功耗效率上比28nm HKMG提升了90%。 • 22FD-uhp：對于集成模擬的聯網應用，22FD-uhp產品在優化后，可實現與FinFET相同的超高性能，同時最大程度減少能耗。22FD-uhp定制化功能包括正向體偏壓、應用優化的金屬堆棧，以及支持0.95V的加壓。 • 22FD-ull：面向可穿戴和物聯網市場的超低漏電產品，具備與22FX-ulp相同的低功耗能力，同時又將漏電電流降至1pa/um。較低的運行功耗、超低漏電和靈活的體偏壓技術，這一組合使能耗大幅減少，從而為新型電池供電型可穿戴設備創造了條件。 • 22FD-rfa：射頻模擬產品，可提高數據速率，減省50%的功耗，并降低系統成本，以滿足LTE-A蜂窩收發器、高階MIMO WiFi整合型芯片、毫米波雷達等大容量RF應用的嚴格要求。RF活動設備后門功能可減少或消除RF信號路徑上的復雜補償電路，讓RF設計人員能夠更好地發揮設備內在的Ft性能。 格羅方德半導體一直與主要客戶和生態系統伙伴開展密切合作，研發更好的設計方法和一整套基本和復雜的知識產權（IP）。公司現提供設計入門套件和早期版本的工藝設計套件（PDK），并將于2016下半年啟動風險生產。 |
