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器件在4.5V和2.5V下的RDS(ON)低至34mΩ和45mΩ，占位面積2mm x 2mm，采用PowerPAK SC-70封裝 Vishay Intertechnology, Inc.推出采用超小尺寸的熱增強PowerPAK SC-70封裝的新款雙片N溝道TrenchFET功率MOSFET。Vishay Siliconix SiA936EDJ可在便攜式電子產品中節省空間并提高電源效率，在4.5V和2.5V柵極驅動下具有20 V(12V VGS和8V VGS)器件中最低的導通電阻，占位面積為2mm x 2mm。 
今天發布的器件適用于負載和充電器開關、DC/DC轉換器，以及智能手機、平板電腦、移動計算設備、非植入便攜式醫療產品、帶有小型無刷直流電機的手持式消費電子產品中電源管理應用的H橋和電池保護。SiA936EDJ為這些應用提供了34mΩ(4.5V)、37mΩ(3.7V)和45mΩ(2.5V)的極低導通電阻，并內建ESD保護功能。器件在2.5V下的導通電阻比最接近的8V VGS器件低11.7%，同時具有更高的(G-S)防護頻帶，比使用12V VGS的最接近器件的導通電阻低15.1%。 器件的低導通電阻使設計者可以在其電路里實現更低的壓降，更有效地使用電能，并延長電池壽命。雙片SiA936EDJ把兩顆MOSFET集成在一個小尺寸封裝里，簡化了設計，降低了元器件數量，節省了重要的PCB空間。MOSFET進行了100%的Rg測試，符合JEDEC JS709A的無鹵素規定，符合RoHS指令2011/65/EU。 SiA936EDJ現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。 |
