IR推出堅固耐用100V FastIRFET PQFN 5×6功率MOSFET

發布時間：2014-3-17 10:50 發布者：eechina

為通信電源應用提供基準性能

國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出100V FastIRFET功率MOSFET IRFH7185TRPbF，為通信應用中的DC-DC電源提供基準性能。

IRFH7185TRPbF采用IR全新的100V FastIRFET工藝，提供基準的導通電阻柵極電荷品質因子 (Rds(on)*Qg figure of merit)，以實現更高效率和功率密度，并且提高系統可靠性。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：“IRFH7185TRPbF提供超低導通電阻，并且比同類型器件的柵極電荷顯著降低，所以從輕載到滿載都能達到高性能的要求。IR全新的100V FastIRFET器件提高雪崩電流密度達20%，為DC-DC通信電源提供行業最堅固耐用的解決方案。”

IR FastIRFET器件可與各種控制器或驅動器配合使用，從而使設計更靈活，在更小的占位面積實現更高的電流、效率和頻率。IRFH7185TRPbF達到工業級標準和第一級濕度敏感度 (MSL1) 標準，并采用了行業標準封裝5x6 PQFN，所采用的材料環保，不含鉛，并符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS)。

規格

封裝	器件編號	25°C時的最大Id	10Vgs時的	4.5V時的典型QG (nC)	10Vgs時的R*QG
			典型/ 最大導通電阻 (Ω)
PQFN 5×6	IRFH7185TRPBF	123A	4.2	36	151.2

有關產品現正接受批量訂單，相關數據請瀏覽IR的網站http://www.irf.com。

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