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法國微電子研究機構CEA-Leti與意法半導體（ST）攜手展示了一個基于28納米超薄體埋氧層(ultra-thin body buried-oxide，UTBB) FD-SOI技術的超寬電壓(ultra-wide-voltage range，UWVR)數字信號處理器(DSP)。 該器件由意法半導體采用28納米 UTBB全耗盡型絕緣層上硅（fully-depleted silicon-on-insulator，FD-SOI）工藝制造，體偏壓調壓范圍0V至+2V，可降低電路最低工作電壓，在400mV時支持460MHz時鐘頻率。 通過整合雙方的設計技術，展品取得了超寬的電壓范圍、更高能效和空前的電壓效率和頻率效率。意法半導體和Leti開發并優化了0.275V－1.2V標準單元庫：通過利用非重疊功率－性能特性，取得了理想的實現成果。在優化單元中，快速脈沖觸發式觸發器（fast pulse-triggered flip-flops）是針對低壓可變性容限設計。 此外，芯片內部時序裕量監視器動態調整時鐘頻率，使其為最大工作頻率的百分之幾，時序調整與電源電壓值、體偏壓值、溫度以及制造工藝無關。因此，即便在0.4V時，該數字信號處理器工作頻率仍然提高9倍。 意法半導體設計支持服務部執行副總裁Philippe Magarshack表示：“UTBB FD-SOI技術是意法半導體的速度更快、散熱更小、更簡單的解決方案，在性能和節能方面取得巨大進步，同時盡量減少了對現有設計和制造方法的調整和改變。本次展出的數字信號處理器證明，FD-SOI在如何使用能效更高的直至10納米的芯片設計更好的便攜式電池供電產品方面開創了一條新路。” Leti部門副總裁兼設計和嵌入式系統平臺業務主管Thierry Collette表示：“開發能夠充分發揮技術性能和能效優勢的先進設計方法，然后再利用這些方法設計最終適用于物聯網終端產品的專用元器件，作為技術創新與上游工業之間的橋梁，Leti在這個過程中起到關鍵作用。” 于2月12日舉行的ISSCC第27屆“Energy-Efficient Digital Circuits”專題研討會上，Leti和意法半導體宣讀了合著論文“A 460MHz at 397mV, 2.6GHz at 1.3V, 32b VLIW DSP, Embedding Fmax Tracking”，同時向與會者展示了相關產品套件。 |
