ST 650V碳化硅二極管具有獨一無二的雙管配置，可提高安全性、能效并節省空間

發布時間：2014-1-17 11:22 發布者：eechina

意法半導體（ST）的新雙管配置碳化硅(SiC)肖特基二極管是市場上同類產品中首款每只管子額定電壓650V且共陰極或串聯配置的整流二極管，可用于交錯式或無橋型功率因數校正(PFC)電路。

磁化硅產品的能效和耐用性高于傳統的二極管，意法半導體在碳化硅功率半導體技術創新方面居世界領先水平，STPSC6/8/10TH13TI和 STPSC8/12/16/20H065C器件兼備碳化硅的高性能與雙二極管的節省空間和降低EMI干擾的雙重優點。交錯式或無橋型PFC拓撲可提高服務器電源、電信設備電源、太陽能逆變器、電動汽車充電站等設備的能效，而這兩個系列產品是交錯式或無橋型PFC的理想選擇。

這些業內獨一無二的二極管在關斷狀態下反向恢復時間很短，解決了電能損耗問題，從而能夠優化開關能效。而且650V額定電壓提高了安全系數，對具有危害性的反向峰值電壓具有防護作用。此外，STPSCxxTH13TI產品內置的陶瓷隔離層，有助于簡化管子與外部散熱器的連接，也可以不用外部隔離層。

STPSC6TH13TI至STPSC10TH13TI(串聯配置隔離型TO-220AB封裝)和STPSC8H065C至STPSC20H065C (共陰極標準TO-220AB封裝)已經上市。STPSC20H065C還提供TO-247封裝。

詳情請訪問www.st.com/sicdiodes。

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